[实用新型]一种支持掉电数据随机化的FLASH仿真器有效
申请号: | 202020749782.X | 申请日: | 2020-05-09 |
公开(公告)号: | CN212782027U | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 赵满怀;刘瑾 | 申请(专利权)人: | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102209 北京市昌平区北七家镇未*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 支持 掉电 数据 随机化 flash 仿真器 | ||
本实用新型公开了一种支持掉电数据随机化的FLASH仿真器,仿真器包括FLASH接口处理模块、数据通路选择模块、掉电数据随机化模块、擦写控制模块、读控制模块和存储器模块。仿真器通过FLASH接口处理模块产生控制信号,在FLASH擦写高压使能信号有效期间,若掉电数据随机化模块检测到接口掉电,则按照FLASH掉电数据随机化原则生成新数据,并把此新数据写入存储器模块;若掉电数据随机化模块未检测到接口掉电,则把接口原数据写入存储器模块。本实用新型仿真器满足FLASH正常擦写读操作要求,支持FLASH擦写期间接口掉电数据随机化的功能,方便软件程序调试和接口掉电功能测试,提高了开发和测试效率。
技术领域
本实用新型涉及芯片仿真器技术领域,具体涉及一种支持掉电数据随机化的FLASH仿真器。
背景技术
为提高FLASH芯片的可靠性,许多厂商提出了基于FTL(Flash TranslationLayer)技术的软硬件方案,这种方案要求软件设计和测试中,必须支持FLASH芯片掉电和非掉电后的各种数据处理,完成接口掉电功能测试。客户使用的FLASH芯片,在FLASH擦写期间若出现掉电,存储单元数据一般有三种情况:新数据、原数据和随机数据。
基于FLASH芯片软硬件协同开发测试需求,多数FLASH芯片需要在FLASH仿真器上进行FLASH功能和软件设计开发调试。通用的FLASH仿真器,以FPGA(Field ProgrammableGate Array)仿真FLASH芯片的功能,完成FLASH擦写读等基本命令,通过计数器模拟FLASH擦写延时,达到真实FLASH芯片擦写的延时效果。
这类仿真器通常实现了在FLASH擦写期间(擦除和编程命令的高压期间)掉电写入数据两种情况的功能仿真,在FLASH擦写期间未出现掉电现象,则数据被正确写入存储单元;若在FLASH擦写期间出现接口掉电,则数据或是被正确写入存储单元,或是未被写入保持原数据值。没有仿真实际FLASH芯片的第三种随机数据情况,无法满足软件开发和接口掉电测试需求。
针对上述问题,本实用新型提出一种支持掉电数据随机化的FLASH仿真器。FLASH仿真器支持FLASH的擦、写和读操作;FLASH仿真器支持FLASH高压期间接口掉电,数据可能被正确写入、或保持原有数据不变、或写入随机化数据。FLASH仿真器具有在FLASH高压期间掉电数据随机化的功能,便于软件开发和接口掉电测试,以保证软件开发质量。
实用新型内容
本实用新型解决的是FLASH仿真器中如何实现掉电数据随机化的功能,以实现FLASH芯片掉电数据随机化的功能仿真。
为实现上述功能,本实用新型的仿真器,包括:FLASH接口处理模块、数据通路选择模块、掉电数据随机化模块、擦写控制模块、读控制模块和存储器模块。
FLASH接口处理模块,与FLASH控制器接口相连,实现FLASH控制器擦命令、写命令和读命令的接口信号处理功能;FLASH接口处理模块输出高压使能HV_EN信号,控制掉电数据随机化模块和数据通路选择模块;数据通路选择模块,与FLASH接口处理模块、掉电数据随机化模块和读控制模块相连,实现擦写数据和读数据的通路控制功能;掉电数据随机化模块,与数据通路选择模块、擦写控制模块和读控制模块相连,实现FLASH擦写期间掉电生成随机数据值功能,或擦写期间未掉电保持接口原擦写数据值功能;擦写控制模块,与掉电数据随机化模块和存储器模块相连,实现FLASH擦写控制功能;读控制模块,与存储器模块、掉电数据随机化模块和数据通路选择模块相连,读取接口读地址的存储器模块数据,或是读取当前擦写地址的存储器模块数据;存储器模块,与擦写控制模块和读控制模块相连,实现数据的存储和读取功能。
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