[实用新型]一种静电放电保护器件

权利要求书

1.一种静电放电保护器件，其特征在于，包括：半导体衬底、半导体外延层、第一阱区、第二阱区、第一掺杂区、第二掺杂区、第一电极、第二电极、第一金属柱、第二金属柱、第一金属凸点，第二金属凸点和六面塑封体，其中，

半导体外延层位于半导体衬底上方；

第一阱区与相间设置的第二阱区位于半导体外延层中；

第一掺杂区位于第一阱区中，第二掺杂区位于第二阱区中；

第一电极位于第一掺杂区接触孔的上方，第二电极位于第二掺杂区接触孔的上方，第一掺杂区接触孔与第二掺杂区接触孔为在退火后的第一掺杂区与第二掺杂区的表面形成的层间介质层上，通过预设工艺流程分别形成的；

第一金属柱位于第一电极上方，第二金属柱位于第二电极上方；

第一金属凸点位于第一金属柱上，第二金属凸点位于第二金属柱上；

六面塑封体用于对第一金属凸点、第二金属凸点、半导体衬底、半导体外延层进行六面塑封。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述第一掺杂区构成开基区NPN双极晶体管的发射区；第一阱区、半导体外延层、第二阱区构成开基区NPN双极晶体管的基区；第二掺杂区构成开基区NPN双极晶体管的集电区，通过六面塑封体对开基区NPN双极晶体管进行塑封后，得到所述静电放电保护器件。

3.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述第二掺杂区构成开基区NPN双极晶体管的发射区；第一阱区、半导体外延层、第二阱区构成开基区NPN双极晶体管的基区；第一掺杂区构成开基区NPN双极晶体管的集电区，通过六面塑封体对开基区NPN双极晶体管进行塑封后，得到所述静电放电保护器件。

4.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述第一电极形成静电放电保护器件的阳极，第二电极形成静电放电保护器件的阴极。

5.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述第一电极形成静电放电保护器件的阴极，第二电极形成静电放电保护器件的阳极。

6.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述第一阱区中的第一掺杂区与第二阱区中的第二掺杂区采用叉指结构设计。

7.根据权利要求1至6任一项所述的静电放电保护器件，其特征在于，还包括：

层间介质层，位于半导体外延层、第一阱区、第二阱区、第一掺杂区和第二掺杂区的表面。

8.根据权利要求1至6任一项所述的静电放电保护器件，其特征在于，还包括：第三阱区以及第四阱区，其中，

第三阱区位于第一掺杂区下方，第四阱区位于第二掺杂区下方。