[实用新型]一种静电放电保护器件

说明书

本申请提供了一种静电放电保护器件，包括：半导体衬底、半导体外延层、第一阱区、第二阱区、第一掺杂区、第二掺杂区、第一电极、第二电极、第一金属柱、第二金属柱、第一金属凸点，第二金属凸点和六面塑封体，半导体外延层位于半导体衬底上方；第一阱区与相间设置的第二阱区位于半导体外延层中；第一、第二掺杂区分别位于第一、第二阱区中；第一电极、第二电极分别位于第一掺杂区接触孔及第二掺杂区接触孔的上方；第一金属柱、第二金属柱分别位于第一电极及第二电极上方；第一金属凸点、第二金属凸点分别位于第一金属柱及第二金属柱上；六面塑封体对第一金属凸点、第二金属凸点、半导体衬底、半导体外延层进行六面塑封。可以提高浪涌保护能力。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种静电放电(ESD，Electro StaticDischarge)保护器件。

背景技术

随着电子产品的快速发展，ESD保护器件被越来越多地应用到各种电子产品中，以克服电子产品在制造、封装、测试、运输及使用过程中产生的静电浪涌。其中，双向ESD保护器件被广泛应用于电源以及电源管理IC的浪涌保护等，主要采用N衬底P外延或者P衬底N外延，正面形成N或者P掺杂层、通过trench隔离等工艺方法形成开基区NPN或者PNP三极管结构，利用开基区NPN或者PNP三极管特性实现双向静电保护。但该双向ESD保护器件，由于正面与背面PN结浓度的不同，导致两边电压不一致，同时，形成的双向电压只能仅限于低压3.3、4.5、5、7V等工作电压，难以满足大浪涌高电压的浪涌保护。

实用新型内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供静电放电保护器件，以提高浪涌保护能力。

第一方面，本申请实施例提供了静电放电保护器件，包括：半导体衬底、半导体外延层、第一阱区、第二阱区、第一掺杂区、第二掺杂区、第一电极、第二电极、第一金属柱、第二金属柱、第一金属凸点，第二金属凸点和六面塑封体，其中，

半导体外延层位于半导体衬底上方；

第一阱区与相间设置的第二阱区位于半导体外延层中；

第一掺杂区位于第一阱区中，第二掺杂区位于第二阱区中；

第一电极位于第一掺杂区接触孔的上方，第二电极位于第二掺杂区接触孔的上方，第一掺杂区接触孔与第二掺杂区接触孔为在退火后的第一掺杂区与第二掺杂区的表面形成的层间介质层上，通过预设工艺流程分别形成的；

第一金属柱位于第一电极上方，第二金属柱位于第二电极上方；

第一金属凸点位于第一金属柱上，第二金属凸点位于第二金属柱上；

六面塑封体用于对第一金属凸点、第二金属凸点、半导体衬底、半导体外延层进行六面塑封。

结合第一方面，本申请实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，所述第一掺杂区构成开基区NPN双极晶体管的发射区；第一阱区、半导体外延层、第二阱区构成开基区NPN双极晶体管的基区；第二掺杂区构成开基区NPN双极晶体管的集电区，通过六面塑封体对开基区NPN双极晶体管进行塑封后，得到所述静电放电保护器件。

结合第一方面，本申请实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，所述第二掺杂区构成开基区NPN双极晶体管的发射区；第一阱区、半导体外延层、第二阱区构成开基区NPN双极晶体管的基区；第一掺杂区构成开基区NPN双极晶体管的集电区，通过六面塑封体对开基区NPN双极晶体管进行塑封后，得到所述静电放电保护器件。

结合第一方面，本申请实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，所述第一电极形成静电放电保护器件的阳极，第二电极形成静电放电保护器件的阴极。

结合第一方面，本申请实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中，所述第一电极形成静电放电保护器件的阴极，第二电极形成静电放电保护器件的阳极。