[实用新型]一种可控硅复合装置

权利要求书

1.一种可控硅复合装置，其特征在于，包括：快速可控硅芯片、快速二极管芯片和绝缘陶瓷；

所述快速可控硅芯片和所述快速二极管芯片均集成于所述绝缘陶瓷上；

所述快速可控硅芯片和所述快速二极管芯片均包括控制连接点和高压连接点；

所述快速可控硅芯片的控制连接点与所述快速二极管芯片的控制连接点连接；所述快速可控硅芯片的高压连接点与所述快速二极管芯片的高压连接点连接。

2.根据权利要求1所述的可控硅复合装置，其特征在于，所述快速可控硅芯片和所述快速二极管芯片均包括第一高压连接点和第二高压连接点；

所述快速可控硅芯片的所述第一高压连接点与所述快速二极管芯片的所述第一高压连接点连接；所述快速可控硅芯片的所述第二高压连接点与所述快速二极管芯片的所述第二高压连接点连接。

3.根据权利要求1所述的可控硅复合装置，其特征在于，所述快速可控硅芯片和所述快速二极管芯片还均包括：高压接口；

所述快速可控硅芯片的高压接口和/或所述快速二极管芯片的高压接口与外接控制系统的电压输出口连接；

或，所述快速可控硅芯片的高压接口和/或所述快速二极管芯片的高压接口与斩波电路的电压输出口连接。

4.根据权利要求3所述的可控硅复合装置，其特征在于，所述高压接口为第一高压接口和第二高压接口的集成接口，或所述高压接口为第一高压接口和第二高压连接点的集成接口。

5.根据权利要求2或4所述的可控硅复合装置，其特征在于，所述快速二极管芯片还包括第一快速二极管和第二快速二极管；

所述第一快速二极管的输入端与所述快速二极管芯片的高压接口连接；所述第一快速二极管的输出端分别与所述快速二极管芯片的第一高压连接点和所述快速二极管芯片的所述控制连接点连接；

所述第二快速二极管的输入端与所述快速二极管芯片的高压接口连接；所述第二快速二极管的输出端与所述快速二极管芯片的第二高压连接点连接。

6.根据权利要求5所述的可控硅复合装置，其特征在于，所述快速二极管芯片的所述第一高压连接点包括第一高压连接子点和第二高压连接子点；

所述快速可控硅芯片的第一高压连接点包括第一高压连接子点和第二高压连接子点；

所述第一快速二极管的输出端分别与所述快速二极管芯片的第一高压连接子点、所述第二高压连接子点和所述控制连接点连接；

所述快速二极管芯片的第一高压连接点的第一高压连接子点与所述快速可控硅芯片的第一高压连接点的第一高压连接子点连接；所述快速二极管芯片的第一高压连接点的第二高压连接子点和所述快速可控硅芯片的第一高压连接点的第二高压连接子点连接。

7.根据权利要求1所述的可控硅复合装置，其特征在于，所述快速可控硅芯片的参数值包括工作电压值、工作电流值、频率值、控制电压值、控制电流值和导通压降值；

所述工作电压值的设定数值为2000V；所述工作电流值的设定数值为500A；所述频率值的设定数值为1KHz；所述控制电压值的设定数值为0.3V；所述控制电流值的设定数值小于100mA；所述导通压降值的设定数值为0.7V。

8.根据权利要求1所述的可控硅复合装置，其特征在于，所述快速可控硅芯片的控制连接点与所述快速二极管芯片的控制连接点的连接方式和所述快速可控硅芯片的高压连接点与所述快速二极管芯片的高压连接点的连接方式均为插接或焊接。

9.根据权利要求1所述的可控硅复合装置，其特征在于，所述快速可控硅芯片的个数和所述快速二极管芯片的个数均为多个。