[实用新型]一种可控硅复合装置

说明书

本实用新型涉及一种可控硅复合装置。该装置包括：快速可控硅芯片、快速二极管芯片和绝缘陶瓷；快速可控硅芯片和快速二极管芯片均集成于绝缘陶瓷上；快速可控硅芯片和快速二极管芯片均包括控制连接点和高压连接点；快速可控硅芯片的控制连接点与快速二极管芯片的控制连接点连接；快速可控硅芯片的高压连接点与快速二极管芯片的高压连接点连接。本实用新型提供的可控硅复合装置，通过采用快速可控硅芯片、快速二极管芯片和绝缘陶瓷，并将快速可控硅芯片和快速二极管芯片均集成在绝缘陶瓷上，这能够在减小整个装置的体积、减轻整个装置重量的同时，增长使用寿命。并且，通过各连接点的设置，能够避免产生接触不良的问题，进而提高控制效果。

技术领域

本实用新型涉及可控硅复合控制领域，特别是涉及一种可控硅复合装置。

背景技术

现有技术中的可控硅复合模块是由两个不同体积的芯片组成，外壳的随意性受到限制，芯片安装引线螺栓压紧方式，增加了螺栓和附属配件，增加了不必要的体积和重量，模块外形也不利于产品二次开发。

并且，可控硅复合模块中各芯片均是以压紧方式进行安装，导电时会产生局部或点发热现象，不利于整个模块的散热分布，模块长期工作在高温状态，会减少模块使用寿命。

此外，现有可控硅复合模块采用插接方式进行连接，在潮湿环境和有腐蚀性空气的环境中长期使用会产生接触不良等问题，在移动的设备上也会产生各种问题，而且控制电极引线过长不利于模块的可靠控制和产生高频谐波干扰现象。

因此，提供一种具有体积小、重量轻、使用寿命长、控制效果好等特点的可控硅复合装置是本领域亟待解决的技术难题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种可控硅复合装置，以解决现有可控硅符合模块存在的体积大、重量重、使用寿命短、控制效果差等问题。

为实现上述目的，本实用新型提供了如下方案：

一种可控硅复合装置，包括：快速可控硅芯片、快速二极管芯片和绝缘陶瓷；

所述快速可控硅芯片和所述快速二极管芯片均集成于所述绝缘陶瓷上；

所述快速可控硅芯片和所述快速二极管芯片均包括控制连接点和高压连接点；

所述快速可控硅芯片的控制连接点与所述快速二极管芯片的控制连接点连接；所述快速可控硅芯片的高压连接点与所述快速二极管芯片的高压连接点连接。

优选的，所述快速可控硅芯片和所述快速二极管芯片均包括第一高压连接点和第二高压连接点；

所述快速可控硅芯片的所述第一高压连接点与所述快速二极管芯片的所述第一高压连接点连接；所述快速可控硅芯片的所述第二高压连接点与所述快速二极管芯片的所述第二高压连接点连接。

优选的，所述快速可控硅芯片和所述快速二极管芯片还均包括：高压接口；

所述快速可控硅芯片的高压接口和/或所述快速二极管芯片的高压接口与外接控制系统的电压输出口连接；

或，所述快速可控硅芯片的高压接口和/或所述快速二极管芯片的高压接口与斩波电路的电压输出口连接。

优选的，所述高压接口为第一高压接口和第二高压接口的集成接口，或所述高压接口为第一高压接口和第二高压连接点的集成接口。

优选的，所述快速二极管芯片还包括第一快速二极管和第二快速二极管；

所述第一快速二极管的输入端与所述快速二极管芯片的高压接口连接；所述第一快速二极管的输出端分别与所述快速二极管芯片的第一高压连接点和所述快速二极管芯片的所述控制连接点连接；

所述第二快速二极管的输入端与所述快速二极管芯片的高压接口连接；所述第二快速二极管的输出端与所述快速二极管芯片的第二高压连接点连接。