[实用新型]一种半导体硅片清洗喷淋装置

说明书

本实用新型提供一种半导体硅片清洗喷淋装置，具有对硅片进行喷淋的喷淋组件，所述喷淋组件至少包括向所述硅片中心喷淋的一号喷组和向所述硅片边缘喷淋的二号喷组，所述一号喷组和所述二号喷组均置于所述硅片平面一侧。本实用新型的喷淋装置，结构简单且易于控制；通过设置两组喷淋管对应硅片的不同位置进行喷淋，使得硅片表面面积均被兼顾，喷淋水能够全覆盖到硅片的所有位置且可随硅片高速旋转而冲洗杂质颗粒；同时设置交替喷淋的方式进行多轮次的清洗，可将硅片表面杂质尤其是硅片表面边缘的杂质完全清洗掉，保证硅片质量，提高清洗效率，节约喷淋时间。

技术领域

本实用新型属于半导体硅片清洗辅助装置技术领域，尤其是涉及一种半导体硅片清洗喷淋装置。

背景技术

随着大规模集成电路的不断发展，对于硅片抛光后的表面洁净度要求也越来越高，尤其是硅片正面的洁净度，对后期集成电路的加工及其重要，故，硅片清洗是硅片加工的关键工序之一。

目前清洗工艺中主要是对小尺寸硅片的清洗，但对于大尺寸硅片，随着硅片面积的增加，使得现有喷淋方式喷出的水液无法全覆盖到硅片正面的表面上。而且，现有对于喷淋的角度及方式都未有规范要求，造成产品在清洗过程中，硅片正面存在清洗不干净且清洗质量差异性大的技术问题。还有微观检测发现，用现有技术喷淋后，硅片正面的表面仍然有很多残留的杂质颗粒，其位置分布如图1所示，可知尤其是在硅片正面边缘附近仍残留较多杂质颗粒未被清除，导致需要多次返工清洗，延长清洗时间，清洗效率低。而在返工清洗时，会对硅片正面的表面进行二次污染，仍然无法保证硅片清洗质量。

实用新型内容

本实用新型提供一种半导体硅片清洗喷淋装置，尤其是适用于大尺寸面积的半导体硅片正面的清洗，解决了现有技术清洗方式无法完全清洗硅片表面残留的杂质颗粒的技术问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种半导体硅片清洗喷淋装置，具有对硅片进行喷淋的喷淋组件，所述喷淋组件至少包括向所述硅片中心喷淋的一号喷组和向所述硅片边缘喷淋的二号喷组，所述一号喷组和所述二号喷组均置于所述硅片平面一侧。

进一步的，所述一号喷组和所述二号喷组均置于所述硅片正面上方，并均向所述硅片正面进行喷淋。

进一步的，所述一号喷组包括若干一号喷管，所述一号喷管的喷头正对应于所述硅片中心位置。

进一步的，所述一号喷组还包括用于固定所述一号喷管的一号架体，所述一号架体可带动所述一号喷管向靠近或远离所述硅片正面一侧移动。

进一步的，所述一号喷管均垂直于所述硅片平面设置且一体连接设置。

进一步的，所述二号喷组包括若干二号喷管和用于固定并使所述二号喷管沿所述硅片厚度方向移动的二号架体，所述二号喷管的喷头距离所述硅片边缘的水平距离是所述硅片半径的1/4-1/3。

进一步的，所述二号喷管一体固定于所述二号架体并垂直于所述硅片平面设置。

进一步的，所述喷淋组件还具有向所述硅片背面喷淋的三号喷组，包括若干三号喷管，至少设有朝所述硅片背面中心喷淋的所述三号喷管和倾斜朝所述硅片背面半径区域内喷淋的所述三号喷管。

进一步的，所述一号喷组、所述二号喷组和所述三号喷组可交替喷淋或同时喷淋。

进一步的，所述喷淋装置还设有用于固定所述硅片并使所述硅片旋转的卡固组件。

采用本实用新型设计的喷淋装置，结构简单且易于控制；通过设置两组喷淋管对应硅片正面的不同位置进行喷淋，使得硅片正面表面面积均被兼顾，喷淋水能够全覆盖到硅片正面中所有位置且可随硅片高速旋转而冲洗杂质颗粒；同时设置交替喷淋的方式进行多轮次的清洗，可将硅片正面表面杂质尤其是硅片正面表面边缘的杂质完全清洗掉，保证硅片质量，提高清洗效率，节约喷淋时间。

附图说明