[实用新型]一种高基频晶体滤波器的差接变量器

权利要求书

1.一种高基频晶体滤波器的差接变量器，其特征在于：所述差接变量器（1）由电容C11、电感L11、

金属屏蔽罩（1-1）构成；所述电感L11设置在金属屏蔽罩（1-1）内，所述电容C11一端为射频信号输入端或射频信号输出端，电容C11另一端连接电感L11的引脚1，所述电感L11的引脚1、引脚2将射频信号送入谐振因子进行滤波处理，或接收经滤波处理后的射频信号，引脚3通过金属屏蔽罩（1-1）与高基频晶体滤波器的信号地连接。

2.根据权利要求1所述的一种高基频晶体滤波器的差接变量器，其特征在于：所述电容C11为超低ESR、射频片式瓷介电容器。

3.根据权利要求1所述的一种高基频晶体滤波器的差接变量器，其特征在于：所述电感L11采用无氧铜线在酚醛树脂骨架上绕制2个包构成，其中一包的起头端为电感L11的引脚1，这一包的尾头端与另外一包的起头端连接为引脚3，另外一包的尾头端为引脚2。