[实用新型]一种高基频晶体滤波器的差接变量器

说明书

本实用新型涉及一种高基频晶体滤波器的差接变量器，差接变量器由电容C11、电感L11、金属屏蔽罩构成；所述电感L11设置在金属屏蔽罩内，所述电容C11一端为射频信号输入端或射频信号输出端，电容C11另一端连接电感L11的引脚1，所述电感L11的引脚1、引脚2将射频信号送入谐振因子进行滤波处理，或接收经滤波处理后的射频信号，引脚3通过金属屏蔽罩与高基频晶体滤波器的信号地连接。本实用新型的有益效果是：本实用新型提供的高基频晶体滤波器的差接变量器，可明显改善高基频晶体滤波器的带内插入损耗、减少带外杂散、提高环境温度下性能稳定性和批产效率。

技术领域

本实用新型涉及一种高基频晶体滤波器的差接变量器，是用于通信电台中频领域高基频晶体滤波器内的差接变量器。

背景技术

高基频晶体滤波器都配置有差接变量器，其作用是实现射频信号输入端口、射频信号输出端口的阻抗匹配。现有高基频晶体滤波器的差接变量器如图3所示，采用第1个差接变量器2实现射频信号输入端口的阻抗匹配，采用第2个差接变量器2实现射频信号输出端口的阻抗匹配。

第1个差接变量器2的引脚1与输入射频信号端RFin21相连，引脚2与高基频晶体滤波器信号地连接，引脚3、4将经耦合的射频信号送入谐振因子进行滤波处理，引脚5与高基频晶体滤波器信号地连接，从而通过初级线包21-1与次级线包Ⅰ21-2、次级线包Ⅱ21-3线匝合理配比，实现阻抗变换达到与射频信号输入端口阻抗匹配的目的。

第2个差接变量器2的引脚3、4接收经滤波处理输出的射频信号，引脚5与高基频晶体滤波器信号地连接，引脚1与输出射频信号端RFout21相连，引脚2与高基频晶体滤波器信号地连接，从而通过初级线包21-1与次级线包Ⅰ21-2、次级线包Ⅱ21-3线匝合理配比，实现阻抗变换达到与射频信号输出端口阻抗匹配的目的。

第1个差接变量器2、第2个差接变量器2采用初、次级线包耦合的方式传递射频信号，在初、次级线包耦合时会损失掉一部分射频能量，第1个差接变量器2、第2个差接变量器2在高基频晶体滤波器内部用硅橡胶固定，硅橡胶不可避免填充线匝空隙从而引入分布参数，所引入的分布参数不利于初、次级线包耦合，进一步损失射频能量，从而给高基频晶体滤波器引入较大射频信号损耗。

第1个差接变量器2、第2个差接变量器2在高基频晶体滤波器内部无屏蔽措施，第1个差接变量器2、第2个差接变量器2相互之间，第1个差接变量器2与可调电容CV21、可调电容CV22、电容C21，第2个差接变量器2与可调电容CV21、可调电容CV22、电容C21存在射频信号的串扰，从而给高基频晶体滤波器引入的带外杂散较多。

第1个差接变量器2、第2个差接变量器2通常采用的磁芯为镍锌铁氧体材料，采用先进制备工艺制作的镍锌铁氧体磁芯温度系数在250ppm/℃左右，较大的温度系数会破坏高基频晶体滤波器环境温度下工作的稳定性。

高基频晶体滤波器在进行全密封时需要储能焊，器件四周瞬时会有很高的电流流过，形成很强的磁场，从而对镍锌铁氧体磁芯进行充磁，这种充磁是单向不可逆的，造成的结果就是镍锌铁氧体磁芯的磁导率发生变化，进而第1个差接变量器2、第2个差接变量器2的性能发生变化，严重时会给高基频晶体滤波器带内造成4、5dB的波动，为避免第1个差接变量器2、第2个差接变量器2在全密封时性能发生变化，需要事先对对镍锌铁氧体磁芯进行充磁，并在储能焊机上反复验证，直至镍锌铁氧体磁芯的磁导率不再变化才能用于高基频晶体滤波器的差接变量器，这种在储能焊机上反复验证镍锌铁氧体磁芯的磁导率是否变化的做法直接导致批量生产效率不高。

发明内容

针对现有技术高基频晶体滤波器的差接变量器中存在的缺陷，本实用新型所要解决的问题是提供一种可明显改善高基频晶体滤波器的带内插入损耗、减少带外杂散、提高环境温度下性能稳定性和批产效率的高基频晶体滤波器的差接变量器。