[实用新型]一种可控硅模块封装结构有效
| 申请号： | 202020788439.6 | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN211555884U | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 臧天程;张茹;姜维宾 | 申请（专利权）人： | 烟台台芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/49;H01L23/373;H05K1/03 |
| 代理公司： | 北京中创博腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11636 | 代理人： | 孙福岭 |
| 地址： | 264006 山东省烟台市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 模块 封装 结构 | ||
1.一种可控硅模块封装结构，其特征在于，包括铜基板(1)、第一DBC板(2)、第二DBC板(3)、第三DBC板(4)、第四DBC板(5)和第五DBC板(6)；所述第一DBC板(2)设有第一可控硅芯片(7)，第二DBC板(3)设有第二可控硅芯片(8)；所述第三DBC板(4)设有第一FRD芯片(9)，第四DBC板(5)设有第二FRD芯片(10)；所述第五DBC板(6)上设有第一信号端子(11)和第二信号端子(12)；
所述第一DBC板(2)和第二DBC板(3)之间通过键合铝丝连接，所述第一DBC板(2)和第三DBC板(4)之间通过键合铝丝连接；所述第二DBC板(3)与所述第四DBC板(5)通过键合铝丝连接；所述第一DBC板(2)和第二DBC板(3)之间焊接有第一功率端子(13)，所述第一DBC板(2)和第二DBC板(3)之间焊接有第二功率端子(14)，第一可控硅芯片(7)和第二可控硅芯片(8)的阳极通过所述第一功率端子(13)引出，第一可控硅芯片(7)和第二可控硅芯片(8)的阴极通过所述第二功率端子(14)引出；
所述第一FRD芯片(9)的阳极通过键合铝丝引入所述第三DBC板(4)，第二FRD芯片(10)的阳极通过键合铝丝引入所述第四DBC板(5)；所述第三DBC板(4)和第四DBC板(5)之间焊接有第三功率端子(15)；
所述第一FRD芯片(9)和第二FRD芯片(10)的阳极通过所述第三功率端子(15)引出；所述第一FRD芯片(9)的阴极通过键合铝丝引入所述第一DBC板(2)并通过第一功率端子(13)引出；所述第二FRD芯片(10)的阴极通过键合铝丝引入所述第二DBC板(3)并通过第一功率端子(13)引出。
2.根据权利要求1所述的一种可控硅模块封装结构，其特征在于，所述第一DBC板(2)、第二DBC板(3)、第三DBC板(4)和第四DBC板(5)呈田字型排布在所述铜基板(1)上。
3.根据权利要求1所述的一种可控硅模块封装结构，其特征在于，所述第一可控硅芯片(7)的阳极通过焊片焊接在所述第一DBC板(2)；所述第二可控硅芯片(8)的阳极通过焊片焊接在所述第二DBC板(3)。
4.根据权利要求1所述的一种可控硅模块封装结构，其特征在于，所述第一可控硅芯片(7)和第二可控硅芯片(8)的阴极通过键合铝丝引到所述第五DBC板(6)并通过所述第一信号端子(11)引出。
5.根据权利要求1所述的一种可控硅模块封装结构，其特征在于，所述第一可控硅芯片(7)和第二可控硅芯片(8)的控制极通过键合铝丝引到所述第五DBC板(6)并通过所述第二信号端子(12)引出。
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