[实用新型]一种可控硅模块封装结构

说明书

一种可控硅模块封装结构，在DBC板上设置可控硅芯片，再把DBC板设置在铜基板上，第一FRD芯片的阳极通过键合铝丝引入第三DBC板，第二FRD芯片的阳极通过键合铝丝引入第四DBC板；第三DBC板和第四DBC板之间焊接有第三功率端子；第一FRD芯片和第二FRD芯片的阳极通过第三功率端子引出；第一FRD芯片的阴极通过键合铝丝引入第一DBC板并通过第一功率端子引出；第二FRD芯片的阴极通过键合铝丝引入第二DBC板并通过第一功率端子引出。本技术方案可控硅芯片并联布局，提高模块单位体积的功率密度；结壳热阻小，模块工作时产生的热量能快速散出，热疲劳稳定性提高，提高模块的使用寿命，降低终端客户使用成本。

技术领域

本实用新型涉及可控硅技术领域，具体涉及一种含有新型封装方式的可控硅模块结构。

背景技术

可控硅模块是由可控硅与二极管通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，封装后的可控硅模块可直接应用于逆变焊接、矿机控制器、UPS不间断电源等设备上。

目前，可控硅模块主要采用焊接封装方式将可控硅芯片阴极，阳极通过控制端子引出，但这种封装方案的模块结壳热阻高，工作时产生的热量不易散出，造成模块失效；模块的功率密度低，中大功率密度需要通过扩大模块体积实现，不适用于中大功率可控硅模块封装；生产过程复杂，产线生产效率低，不适合大批量生产。

实用新型内容

为此，本实用新型提供一种可控硅模块封装结构，提高模块单位体积的功率密度，保证可控硅模块性能的稳定性。

为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种可控硅模块封装结构，包括铜基板、第一DBC板、第二DBC板、第三DBC板、第四DBC板和第五DBC板；所述第一DBC板设有第一可控硅芯片，第二DBC板设有第二可控硅芯片；所述第三DBC板设有第一FRD芯片，第四DBC板设有第二FRD芯片；所述第五DBC板上设有第一信号端子和第二信号端子；

所述第一DBC板和第二DBC板之间通过键合铝丝连接，所述第一DBC板和第三DBC板之间通过键合铝丝连接；所述第二DBC板与所述第四DBC板通过键合铝丝连接；所述第一DBC板和第二DBC板之间焊接有第一功率端子，所述第一DBC板和第二DBC板之间焊接有第二功率端子，第一可控硅芯片和第二可控硅芯片的阳极通过所述第一功率端子引出，第一可控硅芯片和第二可控硅芯片的阴极通过所述第二功率端子引出；

所述第一FRD芯片的阳极通过键合铝丝引入所述第三DBC板，第二FRD芯片的阳极通过键合铝丝引入所述第四DBC板；所述第三DBC板和第四DBC板之间焊接有第三功率端子；

所述第一FRD芯片和第二FRD芯片的阳极通过所述第三功率端子引出；所述第一FRD芯片的阴极通过键合铝丝引入所述第一DBC板并通过第一功率端子引出；所述第二FRD芯片的阴极通过键合铝丝引入所述第二DBC板并通过第一功率端子引出。

作为可控硅模块封装结构的优选方案，所述第一DBC板、第二DBC板、第三DBC板和第四DBC板呈田字型排布在所述铜基板上。

作为可控硅模块封装结构的优选方案，所述第一可控硅芯片的阳极通过焊片焊接在所述第一DBC板；所述第二可控硅芯片的阳极通过焊片焊接在所述第二DBC板。

作为可控硅模块封装结构的优选方案，所述第一可控硅芯片和第二可控硅芯片的阴极通过键合铝丝引到所述第五DBC板并通过所述第一信号端子引出。

作为可控硅模块封装结构的优选方案，所述第一可控硅芯片和第二可控硅芯片的控制极通过键合铝丝引到所述第五DBC板并通过所述第二信号端子引出。