[实用新型]FD-SOI衬底结构及器件结构有效
| 申请号： | 202020792435.5 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN211828771U | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 徐大朋;薛忠营;罗杰馨;柴展 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司;上海功成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | fd soi 衬底 结构 器件 | ||
1.一种FD-SOI衬底结构，其特征在于，所述FD-SOI衬底结构包括依次层叠的硅基底、埋氧化层、顶锗硅层及氮氧化锗层。
2.根据权利要求1所述的FD-SOI衬底结构，其特征在于：所述的顶锗硅层的厚度范围介于60埃米～100埃米之间。
3.根据权利要求1所述的FD-SOI衬底结构，其特征在于：所述氮氧化锗层的厚度介于5埃米～20埃米之间。
4.根据权利要求1所述的FD-SOI衬底结构，其特征在于：所述埋氧化层为二氧化硅层，其厚度范围介于100埃米～300埃米之间。
5.一种FD-SOI器件结构，其特征在于，所述FD-SOI器件结构包括：
如权利要求1～4任意一项所述的FD-SOI衬底结构；
栅极结构，位于所述氮氧化锗层上，包括依次堆叠的栅氧层、高k介质层、氮化钛层及栅极层，所述栅极结构两侧具有侧墙结构；
锗硅凸层，形成于所述栅极结构两侧。
6.根据权利要求5所述的FD-SOI器件结构，其特征在于：所述栅氧层的厚度介于6埃米～15埃米之间。
7.根据权利要求5所述的FD-SOI器件结构，其特征在于：所述高k介质层包括HfO2及HfLaO2中的一种，其厚度为15埃米～30埃米之间。
8.根据权利要求5所述的FD-SOI器件结构，其特征在于：所述氮化钛层的厚度范围介于15埃米～30埃米之间。
9.根据权利要求5所述的FD-SOI器件结构，其特征在于：所述栅极层的材料包括非晶硅，厚度范围介于500埃米～600埃米之间。
10.根据权利要求5所述的FD-SOI器件结构，其特征在于：所述锗硅凸层的锗浓度范围介于20％～50％之间且含硼浓度介于1×1019～1021/cm3之间，所述锗硅凸层的厚度范围介于200埃米～400埃米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
