[实用新型]一种硅基探测器热沉芯片有效
申请号: | 202020804684.1 | 申请日: | 2020-05-14 |
公开(公告)号: | CN211743166U | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 刘勇;张丽丹;陈一博 | 申请(专利权)人: | 江苏海湾半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/024 |
代理公司: | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人: | 沈相权 |
地址: | 215000 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 探测器 芯片 | ||
1.一种硅基探测器热沉芯片,包括本体(1),其特征在于:所述本体(1)的内侧面设置有硅片(2),所述硅片(2)的内侧面设置有衬底层(3),所述衬底层(3)的上端面设置有凹型槽(4),所述凹型槽(4)的内侧面设置有热沉平台(5)与堵塞块(10),所述热沉平台(5)的上端面设置有电极区(6),所述电极区(6)的上端面设置有电极钮(7),所述本体(1)的外表面设置有保护膜(8),所述本体(1)的一侧设置有绝缘层(9),所述堵塞块(10)的一侧设置有支撑杆(11),所述支撑杆(11)的一端设置有夹勾(12),所述夹勾(12)的外表面设置有隔离垫(13),所述堵塞块(10)的上端面设置有凸块(14)。
2.根据权利要求1所述的一种硅基探测器热沉芯片,其特征在于:所述硅片(2)固定连接于本体(1)的内侧面,所述衬底层(3)固定连接于硅片(2)的内侧面。
3.根据权利要求1所述的一种硅基探测器热沉芯片,其特征在于:所述凹型槽(4)固定连接于衬底层(3)的上端面,所述热沉平台(5)固定连接于凹型槽(4)的内侧面。
4.根据权利要求1所述的一种硅基探测器热沉芯片,其特征在于:所述堵塞块(10)活动连接于凹型槽(4)的内侧面,所述电极区(6)固定连接于热沉平台(5)的上端面。
5.根据权利要求1所述的一种硅基探测器热沉芯片,其特征在于:所述电极钮(7)固定连接于电极区(6)的上端面,所述电极钮(7)的材料为CR与AU。
6.根据权利要求1所述的一种硅基探测器热沉芯片,其特征在于:所述保护膜(8)固定连接于本体(1)的外表面,所述绝缘层(9)固定连接于本体(1)的一侧。
7.根据权利要求1所述的一种硅基探测器热沉芯片,其特征在于:所述支撑杆(11)固定连接于堵塞块(10)的一侧,所述夹勾(12)固定连接于支撑杆(11)的一端。
8.根据权利要求1所述的一种硅基探测器热沉芯片,其特征在于:所述隔离垫(13)固定连接于夹勾(12)的外表面,所述凸块(14)固定连接于堵塞块(10)的上端面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏海湾半导体科技有限公司,未经江苏海湾半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020804684.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的