[实用新型]一种基于均衡散热方式的对称性调制H桥驱动电路有效
申请号: | 202020824584.5 | 申请日: | 2020-05-17 |
公开(公告)号: | CN211744339U | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 陈波;高祯铭;付志强 | 申请(专利权)人: | 上海奉天电子股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201800 上海市嘉*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 均衡 散热 方式 对称性 调制 驱动 电路 | ||
1.一种基于均衡散热方式的对称性调制H桥驱动电路,其特征在于:包括单片机(1)、第一高边驱动(2)、第二高边驱动(3)和H桥电路(4),所述H桥电路(4)中左边桥臂由高边MOS管Q1和低边MOS管Q2组成,右边桥臂由高边MOS管Q3和低边MOS管Q4组成;
所述单片机(1)与第一高边驱动(2)、第二高边驱动(3)连接,第一高边驱动(2)与左边桥臂的高边MOS管Q1和低边MOS管Q2连接,第二高边驱动(3)与右边桥臂的高边MOS管Q3和低边MOS管Q4连接;
所述左边桥臂连接有电感L1,右边桥臂连接有电感L2;在H桥电路(4)中设置有负载Load以及电容C1,电感L1、电容C1、负载Load通过网络节点HV1连接,电感L2、电容C1、负载Load通过网络节点HV2连接;
所述H桥电路(4)的输入为直流高压网络节点DC_HV,DC_HV连接左边桥臂的高边MOS管Q1、右边桥臂的高边MOS管Q3的漏极,GND连接左边桥臂的低边MOS管Q2、右边桥臂的低边MOS管Q4的源极。
2.根据权利要求1所述的一种基于均衡散热方式的对称性调制H桥驱动电路,其特征在于:所述单片机(1)设置有四路SPWM输出与第一高边驱动(2)、第二高边驱动(3)连接。
3.根据权利要求1所述的一种基于均衡散热方式的对称性调制H桥驱动电路,其特征在于:所述第一高边驱动(2)、第二高边驱动(3)采用同型号的驱动器,且第一高边驱动(2)、第二高边驱动(3)为电容自举方式完成对高边MOS管Q1和高边MOS管Q3的驱动。
4.根据权利要求1所述的一种基于均衡散热方式的对称性调制H桥驱动电路,其特征在于:所述电感L1、电感L2以双个差模共用一个磁环形式存在。
5.根据权利要求1所述的一种基于均衡散热方式的对称性调制H桥驱动电路,其特征在于:所述H桥电路(4)的左右两个桥臂的高低边MOS管设置死区时间,同一桥臂高低边MOS管上下不同时直通。
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