[实用新型]一种基于均衡散热方式的对称性调制H桥驱动电路

说明书

本实用新型涉及H桥电路技术领域，具体公开了一种基于均衡散热方式的对称性调制H桥驱动电路，包括单片机、第一高边驱动、第二高边驱动和H桥电路，所述H桥电路中左边桥臂由高边MOS管Q1和低边MOS管Q2组成，右边桥臂由高边MOS管Q3和低边MOS管Q4组成；所述单片机与第一高边驱动、第二高边驱动连接，第一高边驱动与左边桥臂的高边MOS管Q1和低边MOS管Q2连接，第二高边驱动与右边桥臂的高边MOS管Q3和低边MOS管Q4连接；所述左边桥臂连接有电感L1，右边桥臂连接有电感L2；在H桥电路中设置有负载Load以及电容C1，电感L1、电容C1、负载Load通过网络节点HV1连接，电感L2、电容C1、负载Load通过网络节点HV2连接；本实用新型利于产品外壳的散热设计。

技术领域

本实用新型涉及H桥电路技术领域，具体为一种基于均衡散热方式的对称性调制H桥驱动电路。

背景技术

目前，对于正弦波驱动波形一般采用非对称方式，即H桥电路的两个桥臂为非对称方式驱动，一个桥臂采用低频50Hz PWM波形，另一个桥臂采用高频18KHz PWM波形，通过50Hz这个桥臂的开关切换动作，完成正弦波的正半波和负半波整个周期波形的输出，与此同时，另一个18KHz桥臂一直处于开关状态，所以，两个桥臂由于工作频率不同和工作状态的差异，导致两个桥臂上的MOS管发热量不均衡，出现高频MOS管比较热，低频MOS管不是很热，那么在散热方式上就需要根据其特性进行针对性的散热，选用差异化的散热方式，对较热的MOS管需要着重考虑其散热，会增加一些额外的散热措施，这样就会在产品造型设计方面就会变得很怪异；同时，由于H桥左右桥臂MOS管工作的不对称性，MOS管器件本身的一些差异性因素也会表现出来，低频MOS管的损耗基本就是导通损耗，而高频MOS管的损耗包括导通损耗和开关损耗，那么，大部分的损耗会降落在高频MOS管桥臂那一边，左右桥臂的损耗不平衡，这样就会出现更多的不确定因素。所以，基于以上分析，不对称性的H桥驱动存在一些弊端和不足，有必要做更进一步优化。

鉴于以上分析，现有技术中急需要一种可以确保H桥左右两个桥臂MOS管散热均衡，同时，又能保证左右两个桥臂的驱动波形具有对称性，且不需要增加额外的器件，控制输出完美正弦波形的一种基于均衡散热方式的对称性调制H桥驱动电路。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种基于均衡散热方式的对称性调制H桥驱动电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种基于均衡散热方式的对称性调制H桥驱动电路，包括单片机、第一高边驱动、第二高边驱动和H桥电路，所述H桥电路中左边桥臂由高边MOS管Q1和低边MOS管Q2组成，右边桥臂由高边MOS管Q3和低边MOS管Q4组成；

所述单片机与第一高边驱动、第二高边驱动连接，第一高边驱动与左边桥臂的高边MOS管Q1和低边MOS管Q2连接，第二高边驱动与右边桥臂的高边MOS管Q3和低边MOS管Q4连接；

所述左边桥臂连接有电感L1，右边桥臂连接有电感L2；在H桥电路中设置有负载Load以及电容C1，电感L1、电容C1、负载Load通过网络节点HV1连接，电感L2、电容C1、负载Load通过网络节点HV2连接；

所述H桥电路的输入为直流高压网络节点DC_HV，DC_HV连接左边桥臂的高边MOS管Q1、右边桥臂的高边MOS管Q3的漏极，GND连接左边桥臂的低边MOS管Q2、右边桥臂的低边MOS管Q4的源极。

优选的，所述单片机设置有四路SPWM输出与第一高边驱动、第二高边驱动连接。

优选的，所述第一高边驱动、第二高边驱动采用同型号的驱动器，且第一高边驱动、第二高边驱动为电容自举方式完成对高边MOS管Q1和高边MOS管Q3的驱动。

优选的，所述电感L1、电感L2以双个差模共用一个磁环形式存在。