[实用新型]一种MOSFET功率器件有效
| 申请号： | 202020827723.X | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN212182339U | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 孙晓儒;徐栋;张诚阳 | 申请（专利权）人： | 福建省福芯电子科技有限公司;无锡玛盟特微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;魏小霞 |
| 地址： | 350000 福建省福州市鼓楼区软*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 功率 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种MOSFET功率器件，其特征在于，包括：N+衬底层，所述N+衬底层上设置有N-外延层，所述N-外延层上部设置有P-BODY区，所述P-BODY区下部设置有高掺杂区，所述P-BODY区上部设置有Source区，所述P-BODY区深度值大于等于6um，所述N-外延层上设置有栅氧化层，所述栅氧化层上设置有多晶硅层，所述多晶硅层上设置有介质层，所述介质层上设置有金属层，所述金属层S极与所述Source区连接。
2.根据权利要求1所述的一种MOSFET功率器件，其特征在于，
所述P-BODY区深度值为6-9um。
3.根据权利要求1所述的一种MOSFET功率器件，其特征在于，
所述P-BODY区数量为多个。
4.根据权利要求1所述的一种MOSFET功率器件，其特征在于，
所述P-BODY区下部设置有一个高掺杂区。
5.根据权利要求1所述的一种MOSFET功率器件，其特征在于，
所述P-BODY区上部设置有两个Source区。
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