[实用新型]一种基于WB芯片和FC芯片堆叠的台阶腔硅基封装结构

说明书

本实用新型的一种基于WB芯片和FC芯片堆叠的台阶腔硅基封装结构，属于芯片封装技术领域。包括硅基板，硅基板向内凹陷形成相互贯通的外腔和内腔，外腔的面积大于内腔的面积，内腔内设有相互堆叠的WB芯片和FC芯片，FC芯片底部通过凸点与内腔焊接，WB芯片设置于FC芯片上方，WB芯片的管脚通过金线与外腔上的金手指导通。通过在硅基板向内凹陷形成相互贯通的外腔和内腔，使得硅基板的空间利用率大大增加，同时在内腔内设有相互堆叠的WB芯片和FC芯片，可以使得硅基板内安装两个芯片，进一步提高了硅基板的封装平面利用率和集成度。

技术领域

本实用新型属于芯片封装技术领域，具体来说是一种基于WB芯片和FC芯片堆叠的台阶腔硅基封装结构。

背景技术

随着封装行业的不断进步，对于封装的尺寸以及内部芯片的集成度越来越高，目前大多数的芯片是直接贴装在硅基板的表面，这样造成最终的封装尺寸较高；而且由于WB芯片手指的安全间距问题以及芯片底部的填充胶造成尺寸大集成度较低，难以满足更多需求。

实用新型内容

1.实用新型要解决的技术问题

本实用新型的目的在于解决现有的硅基板芯片封装集成度较低的问题。

2.技术方案

为达到上述目的，本实用新型提供的技术方案为：

本实用新型的一种基于WB芯片和FC芯片堆叠的台阶腔硅基封装结构，包括硅基板，所述硅基板向内凹陷形成相互贯通的外腔和内腔，所述外腔的面积大于内腔的面积，所述内腔内设有相互堆叠的WB芯片和FC芯片，所述FC芯片底部通过凸点与内腔焊接，所述WB芯片设置于FC芯片上方，所述WB芯片的管脚通过金线与外腔上的金手指导通。

优选的，所述金手指设置于外腔与内腔相连接的平面上。

优选的，所述FC芯片与内腔焊接后，FC芯片与内腔之间填充有填充胶，所述FC芯片顶部有填充胶，所述WB芯片设置于填充胶之上。

优选的，所述内腔的深度大于或小于所述WB芯片和FC芯片的厚度之和。

优选的，所述内腔的深度大于所述外腔的深度。

优选的，所述硅基板底部设有引脚。

3.有益效果

采用本实用新型提供的技术方案，与现有技术相比，具有如下有益效果：

本实用新型的一种基于WB芯片和FC芯片堆叠的台阶腔硅基封装结构，包括硅基板，硅基板向内凹陷形成相互贯通的外腔和内腔，外腔的面积大于内腔的面积，内腔内设有相互堆叠的WB芯片和FC芯片，FC芯片底部通过凸点与内腔焊接，WB芯片设置于FC芯片上方，WB芯片的管脚通过金线与外腔上的金手指导通。通过在硅基板向内凹陷形成相互贯通的外腔和内腔，使得硅基板的空间利用率大大增加，同时在内腔内设有相互堆叠的WB芯片和FC芯片，可以使得硅基板内安装两个芯片，进一步提高了硅基板的封装平面利用率和集成度。

附图说明

图1为本实用新型的一种基于WB芯片和FC芯片堆叠的台阶腔硅基封装结构的俯视图；

图2为本实用新型的一种基于WB芯片和FC芯片堆叠的台阶腔硅基封装结构的过滤网的结构示意图。

示意图中的标号说明：

1、硅基板；2、外腔；3、内腔；4、WB芯片；5、管脚；6、金线；7、金手指；8、凸点；9、引脚；10、FC芯片。

具体实施方式