[实用新型]一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构有效
申请号: | 202020838571.3 | 申请日: | 2020-05-19 |
公开(公告)号: | CN211828728U | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 胡孝伟;代文亮;胡行勇 | 申请(专利权)人: | 上海芯波电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/055 | 分类号: | H01L23/055 |
代理公司: | 上海乐泓专利代理事务所(普通合伙) 31385 | 代理人: | 王瑞 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 wb 芯片 台阶 腔硅基 封装 结构 | ||
1.一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构,其特征在于:包括硅基板(1)和贴装在硅基板(1)上的WB芯片(5),所述硅基板(1)向内凹陷设有台阶腔,所述WB芯片(5)贴装于台阶腔底部。
2.根据权利要求1所述的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构,其特征在于:所述台阶腔的数量设有一个或至少两个,当台阶腔的数量为至少两个时,相邻的台阶腔之间相互隔离设置。
3.根据权利要求1所述的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构,其特征在于:所述台阶腔包括由浅入深依次设置的顶层台阶腔(7)、中层台阶腔(3)和底层台阶腔(4),所述顶层台阶腔(7)、中层台阶腔(3)和底层台阶腔(4)的面积逐渐减少,所述WB芯片(5)贴装于底层台阶腔(4)内壁。
4.根据权利要求1所述的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构,其特征在于:所述WB芯片(5)同导电胶或非导电胶粘贴于所述台阶腔底部。
5.根据权利要求3所述的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构,其特征在于:所述顶层台阶腔(7)和中层台阶腔(3)的底面均设有金手指,该金手指通过金线、铝线或铜线与所述WB芯片(5)导通。
6.根据权利要求3所述的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构,其特征在于:所述顶层台阶腔(7)的深度为100um-300um,所述中层台阶腔(3)的深度为100um-300um,所述底层台阶腔(4)的深度为100um-300um。
7.根据权利要求1-6任一项所述的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构,其特征在于:所述台阶腔的四周设有焊接层(2),所述台阶腔上平行覆盖有盖板(9),所述盖板(9)侧边通过可伐环(8)与焊接层(2)固定连接。
8.根据权利要求7所述的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构,其特征在于:所述盖板(9)侧边为T型结构。
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