[实用新型]一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构

说明书

本实用新型的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构，属于芯片封装技术领域。包括硅基板和贴装在硅基板上的WB芯片，所述硅基板向内凹陷设有台阶腔，所述WB芯片贴装于台阶腔底部。通过硅基板向内凹陷形成台阶腔且在台阶腔的底部贴装WB芯片，可以使得WB芯片与台阶腔的溢胶区域得到有效控制，同时，台阶腔上还可以设有金手指，可以增加硅基板的平面利用率，提高封装的集成度。

技术领域

本实用新型属于芯片封装技术领域，具体来说是一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构。

背景技术

随着封装行业的不断进步，对于封装的尺寸以及内部芯片的集成度越来越高，目前大多数的芯片是直接贴装在硅基板的表面，这样造成最终的封装尺寸较高；而且由于WB芯片手指的安全间距问题以及芯片底部的填充胶造成尺寸大集成度较低，难以满足更多需求。

实用新型内容

1.实用新型要解决的技术问题

本实用新型的目的在于解决现有的芯片封装集成度较低难以满足需求的问题。

2.技术方案

为达到上述目的，本实用新型提供的技术方案为：

本实用新型的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构，包括硅基板和贴装在硅基板上的WB芯片，所述硅基板向内凹陷设有台阶腔，所述WB芯片贴装于台阶腔底部。

优选的，所述台阶腔的数量设有一个或至少两个，当台阶腔的数量为至少两个时，相邻的台阶腔之间相互隔离设置。

优选的，所述台阶腔包括由浅入深依次设置的顶层台阶腔、中层台阶腔和底层台阶腔，所述顶层台阶腔、中层台阶腔和底层台阶腔的面积逐渐减少，所述WB芯片贴装于底层台阶腔内壁。

优选的，所述WB芯片同导电胶或非导电胶粘贴于所述台阶腔底部。

优选的，所述顶层台阶腔和中层台阶腔的底面均设有金手指，该金手指通过金线、铝线或铜线与所述WB芯片导通。

优选的，所述顶层台阶腔的深度为100um-300um，所述中层台阶腔的深度为100um-300um，所述底层台阶腔的深度为100um-300um。

优选的，所述台阶腔的四周设有焊接层，所述台阶腔上平行覆盖有盖板，所述盖板侧边通过可伐环与焊接层固定连接。

优选的，所述盖板侧边为T型结构。

3.有益效果

采用本实用新型提供的技术方案，与现有技术相比，具有如下有益效果：

本实用新型的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构，包括硅基板和贴装在硅基板上的WB芯片，所述硅基板向内凹陷设有台阶腔，所述WB芯片贴装于台阶腔底部。通过硅基板向内凹陷形成台阶腔且在台阶腔的底部贴装WB芯片，可以使得WB芯片与台阶腔的溢胶区域得到有效控制，同时，台阶腔上还可以设有金手指，可以增加硅基板的平面利用率，提高封装的集成度。

附图说明

图1为本实用新型的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构的俯视图；

图2为本实用新型的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构的过滤网的结构示意图；

图3为本实用新型的整体外观示意图。

示意图中的标号说明：

1、硅基板；2、焊接层；3、中层台阶腔；4、底层台阶腔；5、WB芯片；6、金线；7、顶层台阶腔；8、可伐环；9、盖板；10、引脚。

具体实施方式