[实用新型]一种晶体管压壳装置有效
申请号: | 202020858861.4 | 申请日: | 2020-05-20 |
公开(公告)号: | CN211828701U | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 高小飞 | 申请(专利权)人: | 苏州迪安电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体管 装置 | ||
1.一种晶体管压壳装置,用于将晶体管(1)压到壳体(2)里,其特征在于:包括水平放置的底部座板(3)和安装于所述底部座板(3)上部的矩形框架(4),所述矩形框架(4)的上部内侧设置有下压结构(5),所述底部座板(3)的上表面还设置有下部定位结构(6)。
2.根据权利要求1所述的晶体管压壳装置,其特征在于:所述下压结构(5)包括多个下压气缸(501),所述下压气缸(501)的气缸轴上设置有下压吸附板(502),所述下压吸附板(502)上设置有多个吸附凸台(503),所述下压吸附板(502)上设置有水平吸附孔(504),所述吸附凸台(503)上设置有竖直吸附孔(505),所述竖直吸附孔(505)连通到所述水平吸附孔(504)上。
3.根据权利要求1所述的晶体管压壳装置,其特征在于:所述下部定位结构(6)包括底部定位板(601),所述底部定位板(601)上设置有多个定位凹槽(602)。
4.根据权利要求1所述的晶体管压壳装置,其特征在于:所述底部座板(3)上设置有多个底部吸附孔(301),所述底部吸附孔(301)上设置有通气管(302)。
5.根据权利要求2所述的晶体管压壳装置,其特征在于:所述下压气缸(501)的数量至少为两个。
6.根据权利要求1所述的晶体管压壳装置,其特征在于:所述底部座板(3)的底部还设置有底部支撑架(7),所述底部支撑架(7)由多个横梁和立柱相互焊接而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造