[实用新型]一种防腐蚀的单晶硅片有效
| 申请号： | 202020868205.2 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN212085016U | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张弓 | 申请（专利权）人： | 新沂市棋盘工业集中区建设发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0352;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 腐蚀 单晶硅 | ||
1.一种防腐蚀的单晶硅片，包括单晶硅片本体（1），其特征在于：所述单晶硅片本体（1）的外表面设置有材料基层（2），所述材料基层（2）远离单晶硅片本体（1）的一侧设置有加强层（3），所述加强层（3）远离材料基层（2）的一侧设置有制绒层（4），所述制绒层（4）远离加强层（3）的一侧设置有防腐层（5），所述防腐层（5）包括二氧化硅层（51），所述二氧化硅层（51）远离防腐层（5）的一侧设置有单晶硅薄膜层（52）。
2.根据权利要求1所述的一种防腐蚀的单晶硅片，其特征在于：所述材料基层（2）包括石英石材料层（21），所述石英石材料层（21）远离材料基层（2）的一侧设置有金刚石基层（22）。
3.根据权利要求1所述的一种防腐蚀的单晶硅片，其特征在于：所述加强层（3）包括多晶硅层（31），所述多晶硅层（31）远离加强层（3）的一侧设置有无定形硅层（32），所述多晶硅层（31）的厚度与无定形硅层（32）的厚度相同。
4.根据权利要求1所述的一种防腐蚀的单晶硅片，其特征在于：所述单晶硅片本体（1）的外表面与加强层（3）的内表面接触，所述加强层（3）的外表面与制绒层（4）的内表面接触，所述制绒层（4）的外表面与防腐层（5）的内表面接触。
5.根据权利要求1所述的一种防腐蚀的单晶硅片，其特征在于：所述加强层（3）的厚度与制绒层（4）的厚度相同，所述制绒层（4）的厚度与防腐层（5）的厚度相同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新沂市棋盘工业集中区建设发展有限公司，未经新沂市棋盘工业集中区建设发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020868205.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种钻井现场泥浆泵活塞修复装置
- 下一篇：用于喷头性能检测的喷枪安装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
