[实用新型]一种防腐蚀的单晶硅片有效
申请号: | 202020868205.2 | 申请日: | 2020-05-22 |
公开(公告)号: | CN212085016U | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 张弓 | 申请(专利权)人: | 新沂市棋盘工业集中区建设发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0352;C30B29/06 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 腐蚀 单晶硅 | ||
本实用新型公开了一种防腐蚀的单晶硅片,包括单晶硅片本体,所述单晶硅片本体的外表面设置有材料基层,所述材料基层包括石英石材料层,所述石英石材料层远离材料基层的一侧设置有金刚石基层,所述材料基层远离单晶硅片本体的一侧设置有加强层,所述加强层远离材料基层的一侧设置有制绒层,所述制绒层远离加强层的一侧设置有防腐层,所述防腐层包括二氧化硅层,所述二氧化硅层远离防腐层的一侧设置有单晶硅薄膜层。本实用新型通过设置单晶硅片本体、材料基层、加强层、制绒层和防腐层的相互配合,达到了防腐蚀性能好的优点,不会影响单晶硅片的使用效果,可以满足使用者的需求,延长了单晶硅片的使用寿命。
技术领域
本实用新型涉及单晶硅片技术领域,具体为一种防腐蚀的单晶硅片。
背景技术
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿,其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等,由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展,成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。
目前现有的单晶硅片,防腐蚀性能差,会影响单晶硅片的使用效果,无法满足使用者的需求,缩短了单晶硅片的使用寿命。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种防腐蚀的单晶硅片,具备防腐蚀性能好的优点,解决了现有的单晶硅片防腐蚀性能差的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种防腐蚀的单晶硅片,包括单晶硅片本体,所述单晶硅片本体的外表面设置有材料基层,所述材料基层远离单晶硅片本体的一侧设置有加强层,所述加强层远离材料基层的一侧设置有制绒层,所述制绒层远离加强层的一侧设置有防腐层,所述防腐层包括二氧化硅层,所述二氧化硅层远离防腐层的一侧设置有单晶硅薄膜层。
优选的,所述材料基层包括石英石材料层,所述石英石材料层远离材料基层的一侧设置有金刚石基层。
优选的,所述加强层包括多晶硅层,所述多晶硅层远离加强层的一侧设置有无定形硅层,所述多晶硅层的厚度与无定形硅层的厚度相同。
优选的,所述单晶硅片本体的外表面与加强层的内表面接触,所述加强层的外表面与制绒层的内表面接触,所述制绒层的外表面与防腐层的内表面接触。
优选的,所述加强层的厚度与制绒层的厚度相同,所述制绒层的厚度与防腐层的厚度相同。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
1、本实用新型通过设置单晶硅片本体、材料基层、加强层、制绒层和防腐层的相互配合,达到了防腐蚀性能好的优点,不会影响单晶硅片的使用效果,可以满足使用者的需求,延长了单晶硅片的使用寿命。
2、本实用新型通过设置材料基层,具有优异的耐磨耗和抗疲劳性能,增加了单晶硅片本体的使用强度,通过设置加强层,具有耐紫外光老化性能,单晶硅片本体长期暴置在高温条件下仍能保持良好的力学性能,同时还具有良好的耐腐蚀性,增加了单晶硅片本体的耐腐蚀性和耐化学性,延长了单晶硅片本体的使用寿命,通过设置防腐层,具有耐老化,抗辐射的作用,增加了单晶硅片本体的耐腐蚀和耐老化的性能等,增加了单晶硅片本体的使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为本实用新型材料基层结构剖视图;
图3为本实用新型加强层结构剖视图;
图4为本实用新型防腐层结构剖视图。
图中:1、单晶硅片本体;2、材料基层;21、石英石材料层;22、金刚石基层;3、加强层;31、多晶硅层;32、无定形硅层;4、制绒层;5、防腐层;51、二氧化硅层;52、单晶硅薄膜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的