[实用新型]一种晶圆取料结构有效
申请号: | 202020876918.3 | 申请日: | 2020-05-22 |
公开(公告)号: | CN212485287U | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 周李渊 | 申请(专利权)人: | 长园半导体设备(珠海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/683 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 葛燕婷 |
地址: | 519080 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆取料 结构 | ||
本实用新型公开了一种晶圆取料结构,包括真空吸板、直线模组、安装底板、摆动气缸、真空底座、传感器以及控制系统,直线模组、摆动气缸以及传感器与控制系统电性连接,安装底板安装于直线模组,摆动气缸固定安装于安装底板,真空底座转动安装于摆动气缸,真空吸板安装于真空底座,传感器检测工位是否存在晶圆,当工位有晶圆时,控制系统驱使直线模组带动真空吸板沿直线运动靠近工位,控制系统驱使摆动气缸带动真空吸板转动使真空吸板转动至工位吸附晶圆,将晶圆从工位取出,当工位没有晶圆时,控制系统不输出指令,通过上述设计,晶圆取料结构能够在料盒之间间距很小的情况下,智能判断物料有无并且快速取料,取料时不污染光刻面并且晶圆不破碎。
技术领域
本实用新型涉及晶圆,尤其是涉及一种晶圆取料结构。
背景技术
一般,当硅结晶成很大的、在其大部分长度上为圆柱体之后,要把这种柱状结晶材料切割成很薄的、成为硅晶片的圆片,由于其形状为圆形,这样的硅晶片也可称为晶圆(Wafer)。在晶圆上可进一步加工制作成各种电路元件结构,从而成为有特定电性功能的集成电路产品。
晶圆产品的特性易碎并且光刻面不允许与其他物体有直接接触以免被污染。LED行业晶圆因为薄,料盒之间间距小,晶圆在不断向大尺寸发展,导致取料困难。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足,本实用新型的目的之一在于提供一种晶圆取料结构,能够在料盒之间间距很小的情况下,取料时不污染光刻面并且晶圆不破碎。
本实用新型的目的之一采用以下技术方案实现:
一种晶圆取料结构,包括真空吸板、直线模组、安装底板、摆动气缸、真空底座、传感器以及控制系统,所述直线模组、所述摆动气缸以及所述传感器与所述控制系统电性连接,所述安装底板安装于所述直线模组,所述摆动气缸固定安装于安装底板,所述真空底座转动安装于所述摆动气缸,所述真空吸板安装于所述真空底座,所述传感器检测工位是否存在晶圆,当工位有晶圆时,所述控制系统驱使所述直线模组带动所述真空吸板沿直线运动靠近工位,所述控制系统驱使摆动气缸带动所述真空吸板转动使所述真空吸板转动至工位吸附晶圆,将晶圆从工位取出,当工位没有晶圆时,所述控制系统不输出指令。
进一步地,所述晶圆取料结构还包括真空发生器,所述真空发生器与所述真空底座连通。
进一步地,所述真空吸板包括板体及真空管路,所述真空管路安装于所述板体,所述真空管路与所述真空底座连通。
进一步地,所述板体设有真空吸槽,所述真空管路末端位于所述真空吸槽中。
进一步地,所述真空管路末端呈弧形。
进一步地,所述真空吸槽的数量为三个,三个所述真空吸槽位于圆弧上。
进一步地,所述晶圆取料结构还包括节流阀,所述节流阀固定安装于所述真空底座调节所述真空吸板的吸力大小。
进一步地,所述晶圆取料结构还包括气管接头,所述气管接头与所述摆动气缸连接,所述气管接头控制所述摆动气缸的转动角度。
进一步地,所述传感器为红外传感器。
进一步地,所述传感器为工业相机。
相比现有技术,本实用新型晶圆取料结构的传感器检测工位是否存在晶圆,当工位有晶圆时,控制系统驱使直线模组带动真空吸板沿直线运动靠近工位,控制系统驱使摆动气缸带动真空吸板转动使真空吸板转动至工位吸附晶圆,将晶圆从工位取出,当工位没有晶圆时,控制系统不输出指令,通过上述设计,晶圆取料结构能够在料盒之间间距很小的情况下,智能判断物料有无并且快速取料,取料时不污染光刻面并且晶圆不破碎。
附图说明
图1为本实用新型晶圆取料结构的立体图;
图2为图1的晶圆取料结构的分解图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造