[实用新型]一种钙钛矿太阳能电池生产用蚀刻装置有效
申请号: | 202020886103.3 | 申请日: | 2020-05-25 |
公开(公告)号: | CN212461609U | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 刘立帮 | 申请(专利权)人: | 武汉鑫誉金天科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L51/48 |
代理公司: | 武汉智慧恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42232 | 代理人: | 张熔舟 |
地址: | 430080 湖北省武汉市青山区友谊大道*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 太阳能电池 生产 蚀刻 装置 | ||
本实用新型公开了一种钙钛矿太阳能电池生产用蚀刻装置,涉及钙钛矿太阳能电池生产技术领域,为解决现有的蚀刻装置对太阳能电池片蚀刻效果较差的问题。所述外壳的内部设置有十字集水管,且十字集水管与外壳固定连接,所述十字集水管的下端安装有雾化喷头,雾化喷头安装有若干个,且雾化喷头呈十字形分布,所述十字集水管的上方安装有环形集水管,且环形集水管与外壳固定连接,所述环形集水管的下方安装有加压喷头,加压喷头安装有若干个,且加压喷头呈环形分布,所述外壳内部的两侧均安装有加热装置,且加热装置与外壳通过螺栓固定。
技术领域
本实用新型涉及钙钛矿太阳能电池生产技术领域,具体为一种钙钛矿太阳能电池生产用蚀刻装置。
背景技术
钙钛矿型太阳能电池,是利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池,属于第三代太阳能电池,也称作新概念太阳能电池,在加工过程中,需要使用到蚀刻技术,蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。
但是,现有的钙钛矿太阳能电池生产用蚀刻装置通常采用喷淋或者浸泡的方式对太阳能电池片进行蚀刻,在蚀刻过程中一方面由于覆盖不均匀导致蚀刻成型效果较差,另一方面易对蚀刻液造成浪费,从而加大生产成本,因此不满足现有的需求,对此我们提出了一种钙钛矿太阳能电池生产用蚀刻装置。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种钙钛矿太阳能电池生产用蚀刻装置,以解决上述背景技术中提出的蚀刻装置对太阳能电池片蚀刻效果较差的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种钙钛矿太阳能电池生产用蚀刻装置,包括外壳,所述外壳的内部设置有十字集水管,且十字集水管与外壳固定连接,所述十字集水管的下端安装有雾化喷头,雾化喷头安装有若干个,且雾化喷头呈十字形分布,所述十字集水管的上方安装有环形集水管,且环形集水管与外壳固定连接,所述环形集水管的下方安装有加压喷头,加压喷头安装有若干个,且加压喷头呈环形分布,所述外壳内部的两侧均安装有加热装置,且加热装置与外壳通过螺栓固定。
优选的,所述十字集水管上端的中间位置处设置有蚀刻液管道,且蚀刻液管道的一端延伸至外壳的外部,所述蚀刻液管道的另一端与十字集水管密封固定。
优选的,所述外壳的外部分别设置有水箱和加压泵,且加压泵位于水箱的上方,所述加压泵的输出端密封固定有连接管,所述连接管的一端安装有输水管,且输水管安装有两个,所述输水管的一端延伸至外壳的内部与环形集水管密封固定,且输水管的另一端与连接管通过三通密封固定。
优选的,所述加热装置的内部安装有加热金属丝,且加热金属丝安装有两个,所述加热金属丝与加热装置通过螺丝固定。
优选的,所述外壳上端的两侧均安装有风扇,且风扇连通于外壳的内部,所述风扇与外壳通过螺栓固定。
优选的,所述外壳内部的下端固定设置有放置板,所述放置板上呈环形阵列开设有若干通孔,所述放置板的下方设置有废液槽,所述废液槽下端的一侧设置有排渣口,且排渣口与外壳焊接固定。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型通过在外壳的内部安装有十字集水管,十字集水管为耐腐蚀材料,在蚀刻液长期的流动过程中能够保证其使用寿命,使用时,通过将待蚀刻的太阳能电池板放置于放置板的上方,启动蚀刻液管道所连接的微型加压泵,将蚀刻液导入至十字集水管的内部,通过在十字集水管的下端分别安装有若干个雾化喷头,蚀刻液受压通过雾化喷头进行射出,为雾化的状态逐渐覆盖于太阳能电池片的上端,层层加厚,使得蚀刻液能够均匀的分布于太阳能电池片的上端,一方面保证了蚀刻的均匀性,另一方面减少了蚀刻液的浪费,降低了生产成本。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉鑫誉金天科技有限公司,未经武汉鑫誉金天科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020886103.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造