[实用新型]半桥半导体封装结构

权利要求书

1.一种半桥半导体封装结构，其特征在于：包括2个二极管芯片（1）、金属基座（2）、第一引线架（3）和第二引线架（10），一环氧封装层（4）包覆于2个二极管芯片（1）、金属基座（2）、第一引线架（3）和第二引线架（10）上，所述金属基座（2）的上表面具有2个支撑部（21），所述2个二极管芯片（1）位于金属基座（2）正上方并且其同极性一端分别通过焊锡层（5）与金属基座（2）的2个支撑部（21）电连接，位于金属基座（2）下端的第一引脚部（22）从环氧封装层（4）内延伸出；

所述第一引线架（3）和第二引线架（10）均进一步包括横金属板（6）和分别位于横金属板（6）两端的竖金属板（7）和向下外凸的焊接凸部（8），所述第一引线架（3）和第二引线架（10）各自的横金属板（6）位于2个二极管芯片（1）的上方，所述第一引线架（3）和第二引线架（10）各自的竖金属板（7）分别对称地设置于2个二极管芯片（1）的两侧；

所述第一引线架（3）和第二引线架（10）各自的焊接凸部（8）分别通过焊锡层（5）与2个二极管芯片（1）各自同极性另一端电连接，所述第一引线架（3）和第二引线架（10）各自竖金属板（7）与横金属板（6）相背的一端为第二引脚部（9），此第二引脚部（9）从环氧封装层（4）内延伸出；

所述环氧封装层（4）的下表面且位于2个所述第二引脚部（9）左右侧均开有至少一个第一凹槽（11），所述环氧封装层（4）的下表面且位于第一引脚部（22）前后侧均开有至少一个第二凹槽（12）。

2.根据权利要求1所述的半桥半导体封装结构，其特征在于：所述金属基座（2）的第一引脚部（22）与引线架（3）的第二引脚部（9）占环氧封装层（4）的底表面的面积比为10：2~5。

3.根据权利要求1所述的半桥半导体封装结构，其特征在于：位于所述引线架（3）上横金属板（6）的焊接部（61）与二极管芯片（1）的正极电连接，所述引线架（3）的第二引脚部（9）作为正极输入端。

4.根据权利要求1所述的半桥半导体封装结构，其特征在于：所述环氧封装层（4）的下表面且位于第一引脚部（22）前后侧均开有2个第二凹槽（12）。