[实用新型]半桥半导体封装结构

说明书

本实用新型公开一种半桥半导体封装结构，包括2个二极管芯片、金属基座、第一引线架和第二引线架，一环氧封装层包覆于2个二极管芯片、金属基座、第一引线架和第二引线架上；所述第一引线架和第二引线架均进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的竖金属板和向下外凸的焊接凸部，所述第一引线架和第二引线架各自的焊接凸部分别通过焊锡层与2个二极管芯片各自同极性另一端电连接；所述环氧封装层的下表面且位于2个所述第二引脚部左右侧均开有至少一个第一凹槽。本实用新型既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，满足市场对产品小型化需求。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种半桥半导体封装结构。

背景技术

现有的整流器件将整流二极管芯片封装在一个壳体内，将交流电经过整流变成直流电的半导体器件。整流桥包括全桥和半桥，全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起，半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路。现有半桥器件的体积较大，因而不能满足市场上对于小型化和薄型化需求，同时，散热性能也不佳。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种半桥半导体封装结构，该半桥半导体封装结构既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，满足市场对产品小型化需求，也有利于快速将二极管芯片热量扩散出，延长了半导体器件的使用寿命。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种半桥半导体封装结构，包括2个二极管芯片、金属基座、第一引线架和第二引线架，一环氧封装层包覆于2个二极管芯片、金属基座、第一引线架和第二引线架上，所述金属基座的上表面具有2个支撑部，所述2个二极管芯片位于金属基座正上方并且其同极性一端分别通过焊锡层与金属基座的2个支撑部电连接，位于金属基座下端的第一引脚部从环氧封装层内延伸出；

所述第一引线架和第二引线架均进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的竖金属板和向下外凸的焊接凸部，所述第一引线架和第二引线架各自的横金属板位于2个二极管芯片的上方，所述第一引线架和第二引线架各自的竖金属板分别对称地设置于2个二极管芯片的两侧；

所述第一引线架和第二引线架各自的焊接凸部分别通过焊锡层与2个二极管芯片各自同极性另一端电连接，所述第一引线架和第二引线架各自竖金属板与横金属板相背的一端为第二引脚部，此第二引脚部从环氧封装层内延伸出；

所述环氧封装层的下表面且位于2个所述第二引脚部左右侧均开有至少一个第一凹槽，所述环氧封装层的下表面且位于第一引脚部前后侧均开有至少一个第二凹槽。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述金属基座的第一引脚部与引线架的第二引脚部占环氧封装层的底表面的面积比为10：2~5。

2. 上述方案中，位于所述引线架上横金属板的焊接部与二极管芯片的正极电连接，所述引线架的第二引脚部作为正极输入端。

3. 上述方案中，所述环氧封装层的下表面且位于第一引脚部前后侧均开有2个第二凹槽。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：