[实用新型]一种GaN基外延结构有效
| 申请号： | 202020890872.0 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN212010976U | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 房育涛;林志东;张恺玄;刘波亭 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 外延 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN基外延结构，其特征在于：由下至上包括衬底、成核层、晶格匹配多量子阱缓冲层和GaN缓冲层；在晶格匹配多量子阱缓冲层中，每个多量子阱周期为InAlGaN势垒层和AlGaN势阱层交错组成，InAlGaN势垒层和AlGaN势阱层的晶格常数相等。
2.根据权利要求1所述的一种GaN基外延结构，其特征在于：多量子阱周期为5-100个。
3.根据权利要求1所述的一种GaN基外延结构，其特征在于：InAlGaN势垒层的厚度范围10-100nm。
4.根据权利要求1所述的一种GaN基外延结构，其特征在于：AlGaN势阱层的厚度范围10-100nm。
5.根据权利要求3或4所述的一种GaN基外延结构，其特征在于：InAlGaN势垒层的厚度为15nm，AlGaN势阱层的厚度为20nm。
6.根据权利要求1所述的一种GaN基外延结构，其特征在于：衬底的材料为硅、碳化硅或蓝宝石中一种。
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