[实用新型]一种MOCVD装置

说明书

本实用新型公开一种MOCVD装置，包括反应腔，反应腔上有密封用的顶盖，顶盖包括相对的内侧表面和外侧表面，内侧表面朝向反应腔的腔体内部空间，其特征在于：MOCVD还包括一个保护罩，保护罩用于罩住顶盖的内侧表面。所述MOCVD顶盖上部包括三种管道，在MOCVD机台拆炉维护过程中，所述三种管道可外接至N2管道中，对顶盖进行持续吹扫。本实用新型提出的MOCVD装置通过保护罩和外接N2吹扫，可减少拆炉过程中顶盖长时间暴露在水氧环境中，减少顶盖内部残留MO源与水氧的反应时长；加快复机速度，提高产能；同时减少生长过程中水氧释放对产品性能的不良影响，提高产品良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备制造技术领域，尤其涉及一种化学气体沉积设备。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。近年来，LED已在日常生活中得到广泛应用，例如照明、信号显示、背光源、车灯和大屏幕显示等领域。氮化镓（GaN）晶体是发光二极管中的核心组成部分，工业上通常采用金属有机化合物化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD)设备来生长。

现阶段，利用MOCVD设备进行化学反应生长GaN晶体时，会产生大量的反应废弃物，这些废弃物会附着在MOCVD设备反应腔的内表面、底部及顶盖上，因此在生产一段时间之后需将反应腔内的废弃物清理干净。由于清理废弃物时需将反应腔的顶盖打开，用真空吸尘器将腔体内部空间沉积物吸干净。在反应腔顶盖打开的过程中，空气中的水氧气体容易附着在顶盖和腔体的内表面上。由于清理顶盖时长较短，大部分时间都是在等待清理腔体内部空间反应沉积物和更换机台备件。反应腔的清理时间越长，顶盖暴露在空气中的时间越长，水氧分子附着的浓度会越大，其对后续GaN晶体生长带来不利影响就越大。顶盖内部吸附的水氧杂质如不能快速、有效的去除，腔体内部空间环境恢复时间较长，造成产能损失、晶体质量差、亮度低等问题。

发明内容

为了解决以上的问题，本实用新型提出一种MOCVD装置，包括反应腔，反应腔上有密封用的顶盖，顶盖包括相对的内侧表面和外侧表面，内侧表面朝向反应腔的腔体内部空间，其特征在于：MOCVD还包括一个保护罩，保护罩用于罩住顶盖的内侧表面。

优选地，所述保护罩通过可拆卸的连接方式连接在MOCVD装置上。

优选地，所述保护罩通过可拆卸的连接方式连接在MOCVD顶盖的边缘。

优选地，所述保护罩的可拆卸的连接方式包括螺丝或者卡扣的方式。

优选地，所述保护罩的表面为非金属材料。

更优选地，所述保护罩的表面为树脂材料。

更优选地，所述保护罩的表面为亚克力材料，PC材料或者ABS树脂材料。

优选地，所述顶盖上包括气体管道。

本实用新型提出的MOCVD装置包含以下有益效果：

1，在MOCVD机台拆炉维护过程中，通过保护罩可避免顶盖长时间接触大气中的水氧；

2，减少顶盖内部残留MO源与水氧反应时长；

3，加快复机速度，提高产能；

4，减少生长过程中水氧释放对产品性能的不良影响，提高产品良率。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。

图1为本实施例1中所提及的保护罩装至顶盖后的结构的剖面示意图。