[实用新型]一种新型二极管入料座结构有效

专利信息
申请号: 202020903061.X 申请日: 2020-05-25
公开(公告)号: CN212209448U 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 覃荣俊 申请(专利权)人: 中之半导体科技(东莞)有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/673
代理公司: 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 代理人: 何新华
地址: 523430 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 新型 二极管 入料座 结构
【权利要求书】:

1.一种新型二极管入料座结构,其特征在于:包括下入料座(10)和上入料座(11),所述上入料座(11)设置在所述下入料座(10)的上方,所述上入料座(11)靠向进料方向的一侧上表面设置有限位凸块(12),所述上入料座(11)的上表面靠向所述限位凸块(12)的位置开设有产品让位槽(13),所述产品让位槽(13)内开设有吹气孔A(15),所述下入料座(10)上贯穿设置有吹气孔B(16),所述吹气孔A(15)和所述吹气孔B(16)连通;所述吹气孔B(16)通过管道与吹气提供源连接;所述上入料座(11)上开设有真空吸孔A(18),所述真空吸孔A(18)的出气端与所述产品让位槽(13)连通,所述下入料座(10)开设有真空吸孔B(17),所述真空吸孔A(18)的进气端与所述真空吸孔B(17)连通,所述真空吸孔B(17)通过管道与负压气源连接。

2.根据权利要求1所述的一种新型二极管入料座结构,其特征在于:所述上入料座(11)设置为土字形;所述下入料座(10)上设置有与所述上入料座(11)对应的限位座(20),所述上入料座(11)嵌合固定设置在所述限位座(20)上。

3.根据权利要求1所述的一种新型二极管入料座结构,其特征在于:所述真空吸孔A(18)倾斜设置在所述吹气孔A(15)的一侧。

4.根据权利要求1-3任一条所述的一种新型二极管入料座结构,其特征在于:所述上入料座(11)的上表面并且位于所述产品让位槽(13)的相对两侧均设置有限位挡板(21)。

5.根据权利要求4所述的一种新型二极管入料座结构,其特征在于:所述上入料座(11)的上表面并且位于所述产品让位槽(13)的相对两侧均开设有插槽(22),所述限位挡板(21)设置为L形,所述限位挡板(21)的下部活动插设在所述插槽(22)内。

6.根据权利要求5所述的一种新型二极管入料座结构,其特征在于:所述上入料座(11)的上表面与所述限位凸块(12)对应的位置设置有条形槽(19),所述限位凸块(12)的底部设置有嵌合在所述条形槽(19)内的凸条,所述条形槽(19)的长度大于所述凸条的长度。

7.根据权利要求6所述的一种新型二极管入料座结构,其特征在于:所述上入料座(11)的上表面与所述限位凸块(12)对应的位置阵列设置有若干插孔(14),所述插孔上设置有定位销。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中之半导体科技(东莞)有限公司,未经中之半导体科技(东莞)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020903061.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top