[实用新型]一种新型二极管入料座结构有效
申请号: | 202020903061.X | 申请日: | 2020-05-25 |
公开(公告)号: | CN212209448U | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 覃荣俊 | 申请(专利权)人: | 中之半导体科技(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/673 |
代理公司: | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人: | 何新华 |
地址: | 523430 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 二极管 入料座 结构 | ||
1.一种新型二极管入料座结构,其特征在于:包括下入料座(10)和上入料座(11),所述上入料座(11)设置在所述下入料座(10)的上方,所述上入料座(11)靠向进料方向的一侧上表面设置有限位凸块(12),所述上入料座(11)的上表面靠向所述限位凸块(12)的位置开设有产品让位槽(13),所述产品让位槽(13)内开设有吹气孔A(15),所述下入料座(10)上贯穿设置有吹气孔B(16),所述吹气孔A(15)和所述吹气孔B(16)连通;所述吹气孔B(16)通过管道与吹气提供源连接;所述上入料座(11)上开设有真空吸孔A(18),所述真空吸孔A(18)的出气端与所述产品让位槽(13)连通,所述下入料座(10)开设有真空吸孔B(17),所述真空吸孔A(18)的进气端与所述真空吸孔B(17)连通,所述真空吸孔B(17)通过管道与负压气源连接。
2.根据权利要求1所述的一种新型二极管入料座结构,其特征在于:所述上入料座(11)设置为土字形;所述下入料座(10)上设置有与所述上入料座(11)对应的限位座(20),所述上入料座(11)嵌合固定设置在所述限位座(20)上。
3.根据权利要求1所述的一种新型二极管入料座结构,其特征在于:所述真空吸孔A(18)倾斜设置在所述吹气孔A(15)的一侧。
4.根据权利要求1-3任一条所述的一种新型二极管入料座结构,其特征在于:所述上入料座(11)的上表面并且位于所述产品让位槽(13)的相对两侧均设置有限位挡板(21)。
5.根据权利要求4所述的一种新型二极管入料座结构,其特征在于:所述上入料座(11)的上表面并且位于所述产品让位槽(13)的相对两侧均开设有插槽(22),所述限位挡板(21)设置为L形,所述限位挡板(21)的下部活动插设在所述插槽(22)内。
6.根据权利要求5所述的一种新型二极管入料座结构,其特征在于:所述上入料座(11)的上表面与所述限位凸块(12)对应的位置设置有条形槽(19),所述限位凸块(12)的底部设置有嵌合在所述条形槽(19)内的凸条,所述条形槽(19)的长度大于所述凸条的长度。
7.根据权利要求6所述的一种新型二极管入料座结构,其特征在于:所述上入料座(11)的上表面与所述限位凸块(12)对应的位置阵列设置有若干插孔(14),所述插孔上设置有定位销。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造