[实用新型]一种新型二极管入料座结构有效
申请号: | 202020903061.X | 申请日: | 2020-05-25 |
公开(公告)号: | CN212209448U | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 覃荣俊 | 申请(专利权)人: | 中之半导体科技(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/673 |
代理公司: | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人: | 何新华 |
地址: | 523430 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 二极管 入料座 结构 | ||
本实用新型提供一种新型二极管入料座结构,包括下入料座和上入料座,所述上入料座设置在所述下入料座的上方,所述上入料座靠向进料方向的一侧上表面设置有限位凸块,所述上入料座的上表面靠向所述限位凸块的位置开设有产品让位槽,所述产品让位槽内开设有吹气孔A,所述下入料座上贯穿设置有吹气孔B,所述吹气孔A和所述吹气孔B连通;所述吹气孔B通过管道与吹气提供源连接;所述上入料座上开设有真空吸孔A,所述真空吸孔A的出气端与所述产品让位槽连通,所述下入料座开设有真空吸孔B,所述真空吸孔A的进气端与所述真空吸孔B连通,所述真空吸孔B通过管道与负压气源连接。本实用新型的有益效果是:确保二极管能够稳定升起供取料装置取料。
技术领域
本实用新型涉及二极管加工技术领域,尤其涉及一种新型二极管入料座结构。
背景技术
现有的二极管加工技术过程中,对于二极管的上料结构,一般会采用入料座与震桥的出料端连接,二极管通过震桥移动至入料座上,再供取料装置进行取料。当前在取料过程中存在的技术问题是:移动至入料座上的二极管产品在被取料结构吸起的过程中,容易发生晃动,导致每次吸起的二极管所处的方向都不同,从而影响下一工序的加工质量。鉴于这种情况,亟待一种能够解决上述技术问题的方案。
实用新型内容
基于此,本实用新型的目的在于提供一种新型二极管入料座结构,确保二极管能够稳定升起供取料装置取料。
本实用新型提供一种新型二极管入料座结构,包括下入料座和上入料座,所述上入料座设置在所述下入料座的上方,所述上入料座靠向进料方向的一侧上表面设置有限位凸块,所述上入料座的上表面靠向所述限位凸块的位置开设有产品让位槽,所述产品让位槽内开设有吹气孔A,所述下入料座上贯穿设置有吹气孔B,所述吹气孔A和所述吹气孔B连通;所述吹气孔B通过管道与吹气提供源连接;所述上入料座上开设有真空吸孔A,所述真空吸孔A的出气端与所述产品让位槽连通,所述下入料座开设有真空吸孔B,所述真空吸孔A的进气端与所述真空吸孔B连通,所述真空吸孔B通过管道与负压气源连接。
作为优选方案,所述上入料座设置为土字形;所述下入料座上设置有与所述上入料座对应的限位座,所述上入料座嵌合固定设置在所述限位座上。
作为优选方案,所述真空吸孔A倾斜设置在所述吹气孔A的一侧。
作为优选方案,所述上入料座的上表面并且位于所述产品让位槽的相对两侧均设置有限位挡板。
作为优选方案,所述上入料座的上表面并且位于所述产品让位槽的相对两侧均开设有插槽,所述限位挡板设置为L形,所述限位挡板的下部活动插设在所述插槽内。
作为优选方案,所述上入料座的上表面与所述限位凸块对应的位置设置有条形槽,所述限位凸块的底部设置有嵌合在所述条形槽内的凸条,所述条形槽的长度大于所述凸条的长度。
作为优选方案,所述上入料座的上表面与所述限位凸块对应的位置阵列设置有若干插孔,所述插孔上设置有定位销。
本实用新型的有益效果为:
1、上入料座的上表面靠向限位凸块的位置开设有产品让位槽,吹气孔A和所述吹气孔B 连通,吹气孔B通过管道与吹气提供源连接,通过这样的结构设置,当二极管进入到产品让位槽内,通过吹气孔A可将二极管吹起供取料装置取料,而为了防止二极管被取料装置取起时发生晃动,当二极管进入到产品让位槽内后,真空吸孔A先将二极管吸紧,再通过吹气孔A 将二极管稳定吹起供取料装置取料;
2、上入料座的上表面并且位于产品让位槽的相对两侧均设置有限位挡板,通过限位挡板的限位作用,使二极管能够沿着限位的范围内被吹起;
3、限位凸块的底部设置有嵌合在条形槽内的凸条,使限位凸块能够在上入料座的上表面沿着条形槽进行位置调整;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造