[实用新型]一种基于WB芯片与FC芯片共存的双面挖腔陶瓷封装结构有效
| 申请号： | 202020913858.8 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN211828729U | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 胡孝伟;代文亮;伊海伦 | 申请（专利权）人： | 上海芯波电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/057 | 分类号： | H01L23/057;H01L23/10;H01L25/18 |
| 代理公司： | 上海乐泓专利代理事务所(普通合伙) 31385 | 代理人： | 王瑞 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 wb 芯片 fc 共存 双面 陶瓷封装 结构 | ||
1.一种基于WB芯片与FC芯片共存的双面挖腔陶瓷封装结构，其特征在于：包括陶瓷基板(1)、WB芯片(4)和FC芯片(8)，所述陶瓷基板(1)上侧面向内凹陷形成顶面腔一(3)和顶面腔二(7)，所述陶瓷基板(1)的下侧面向内凹陷形成底面腔(13)，所述顶面腔一(3)和顶面腔二(7)分别贴合有WB芯片(4)和FC芯片(8)，所述底面腔(13)内贴合有WB芯片(4)或FC芯片(8)。
2.根据权利要求1所述的一种基于WB芯片与FC芯片共存的双面挖腔陶瓷封装结构，其特征在于：所述WB芯片(4)通过金线(5)与陶瓷基板(1)上的引脚(6)连接，所述FC芯片(8)与陶瓷基板(1)上的锡球(9)连接且填充有点胶层(10)。
3.根据权利要求1所述的一种基于WB芯片与FC芯片共存的双面挖腔陶瓷封装结构，其特征在于：所述陶瓷基板(1)的上侧面覆盖有盖板(12)，所述盖板(12)通过可伐环(11)与陶瓷基板(1)固定连接，所述盖板(12)与可伐环(11)接触的区域为阶梯型结构。
4.根据权利要求1所述的一种基于WB芯片与FC芯片共存的双面挖腔陶瓷封装结构，其特征在于：所述顶面腔一(3)和顶面腔二(7)的面积相同或者面积不同。
5.根据权利要求1所述的一种基于WB芯片与FC芯片共存的双面挖腔陶瓷封装结构，其特征在于：所述顶面腔一(3)和顶面腔二(7)内分别设有至少一个WB芯片(4)或至少一个FC芯片(8)。
6.根据权利要求3所述的一种基于WB芯片与FC芯片共存的双面挖腔陶瓷封装结构，其特征在于：所述陶瓷基板(1)上设有焊接层(2)，所述可伐环(11)与所述焊接层(2)固定连接。
7.根据权利要求1-6任一项所述的一种基于WB芯片与FC芯片共存的双面挖腔陶瓷封装结构，其特征在于：所述陶瓷基板(1)的下侧面未形成底面腔(13)的区域设有植球(17)。
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