[实用新型]一种基于WB芯片与FC芯片共存的双面挖腔陶瓷封装结构有效

专利信息
申请号: 202020913858.8 申请日: 2020-05-27
公开(公告)号: CN211828729U 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 胡孝伟;代文亮;伊海伦 申请(专利权)人: 上海芯波电子科技有限公司
主分类号: H01L23/057 分类号: H01L23/057;H01L23/10;H01L25/18
代理公司: 上海乐泓专利代理事务所(普通合伙) 31385 代理人: 王瑞
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 wb 芯片 fc 共存 双面 陶瓷封装 结构
【说明书】:

实用新型的一种基于WB芯片与FC芯片共存的双面挖腔陶瓷封装结构,包括陶瓷基板、WB芯片和FC芯片,陶瓷基板上侧面向内凹陷形成顶面腔一和顶面腔二,陶瓷基板的下侧面向内凹陷形成底面腔,顶面腔一和顶面腔二分别贴合有WB芯片和FC芯片,底面腔内贴合有WB芯片或FC芯片。陶瓷封装结构通过上下侧面分别挖腔形成顶面腔一、顶面腔二和底面腔,并在顶面腔一、顶面腔二和底面腔内放置WB芯片或FC芯片,使得陶瓷基板的封装空间变大,提高了陶瓷封装的空间利用率且降低了陶瓷封装的外形尺寸。

技术领域

本实用新型属于芯片陶瓷封装技术领域,具体来说是一种基于WB芯片与FC芯片共存的双面挖腔陶瓷封装结构。

背景技术

随着半导体技术的不断发展,越来越多的芯片种类被开发出来以适用于不同的市场需求,其中WB芯片和FC芯片是为现阶段封装所使用的主流芯片之一。然而现有的芯片的陶瓷封装结构由于内部空间小,存在难以满足需求的问题。

实用新型内容

1.实用新型要解决的技术问题

本实用新型的目的在于解决现有的芯片的陶瓷封装结构由于内部空间小难以满足需求的问题。

2.技术方案

为达到上述目的,本实用新型提供的技术方案为:

本实用新型的一种基于WB芯片与FC芯片共存的双面挖腔陶瓷封装结构,包括陶瓷基板、WB芯片和FC芯片,所述陶瓷基板上侧面向内凹陷形成顶面腔一和顶面腔二,所述陶瓷基板的下侧面向内凹陷形成底面腔,所述顶面腔一和顶面腔二分别贴合有WB芯片和FC芯片,所述底面腔内贴合有WB芯片或FC芯片。

优选的,所述WB芯片通过金线与陶瓷基板上的引脚连接,所述FC芯片与陶瓷基板上的锡球连接且填充有点胶层。

优选的,所述陶瓷基板的上侧面覆盖有盖板,所述盖板通过可伐环与陶瓷基板固定连接,所述盖板与可伐环接触的区域为阶梯型结构。

优选的,所述顶面腔一和顶面腔二的面积相同或者面积不同。

优选的,所述顶面腔一和顶面腔二内分别设有至少一个WB芯片或至少一个FC芯片。

优选的,所述陶瓷基板上设有焊接层,所述可伐环与所述焊接层固定连接。

优选的,所述陶瓷基板的下侧面未形成底面腔的区域设有植球。

3.有益效果

采用本实用新型提供的技术方案,与现有技术相比,具有如下有益效果:

本实用新型的一种基于WB芯片与FC芯片共存的双面挖腔陶瓷封装结构,包括陶瓷基板、WB芯片和FC芯片,陶瓷基板上侧面向内凹陷形成顶面腔一和顶面腔二,陶瓷基板的下侧面向内凹陷形成底面腔,顶面腔一和顶面腔二分别贴合有WB芯片和FC芯片,底面腔内贴合有WB芯片或FC芯片。通过上下侧面分别挖腔形成顶面腔一、顶面腔二和底面腔,并在顶面腔一、顶面腔二和底面腔内放置WB芯片或FC芯片,使得陶瓷基板的封装空间变大,提高了陶瓷封装的空间利用率且降低了陶瓷封装的外形尺寸。

附图说明

图1为本实用新型的一种基于WB芯片与FC芯片共存的双面挖腔陶瓷封装结构的内部俯视图;

图2为本实用新型的一种基于WB芯片与FC芯片共存的双面挖腔陶瓷封装结构的过滤网的内部仰视图;

图3为本实用新型的结构示意图。

示意图中的标号说明:

1、陶瓷基板;2、焊接层;3、顶面腔一;4、WB芯片;5、金线;6、引脚;7、顶面腔二;8、FC芯片;9、锡球;10、点胶层;11、可伐环;12、盖板;13、底面腔;17、植球。

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