[实用新型]一种避免错位的IGBT芯片自动键合装置有效
申请号: | 202020918500.4 | 申请日: | 2020-05-26 |
公开(公告)号: | CN211828705U | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 许桂林 | 申请(专利权)人: | 江西全道半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/60 |
代理公司: | 北京恒泰铭睿知识产权代理有限公司 11642 | 代理人: | 何平 |
地址: | 344200 江西省抚*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 避免 错位 igbt 芯片 自动 装置 | ||
本实用新型涉及IGBT芯片技术领域,且公开了一种避免错位的IGBT芯片自动键合装置,包括底座,所述底座的上侧固定安装有两个支撑柱,两个所述支撑柱相对的一侧均固定安装有固定杆,两个所述固定杆相对的一侧固定安装有滑动机构,所述滑动机构的下侧安装有连接杆,所述连接杆的下端固定安装有材料箱,所述材料箱的下侧固定安装有第一升缩杆。该避免错位的IGBT芯片自动键合装置,当滑块通过连接杆带动键合机构移动时,第二升缩杆移动时发生晃动,第二升缩杆撞击到缓冲机构上,缓冲机构缓解掉部分晃动力,另一部分通过缓冲机构传递到弹簧机构上,通过弹簧机构将其余的晃动力缓解掉,从而实现减小设备晃动频率的效果,使芯片键合更加稳定。
技术领域
本实用新型涉及IGBT芯片技术领域,具体为一种避免错位的IGBT芯片自动键合装置。
背景技术
IGBT是一种绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大,MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小,IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
随着芯片事业的发展,IGBT芯片广泛应用在家用电器、智能电网等各项领域上,随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见,用户对高质量等级的IGBT芯片的需求日益突出,在IGBT芯片制作的同时,需要对IGBT芯片进行键合处理,传统的设备在键合时晃动频率大,存在键合不稳定现象,且键合效率低,由于设备键合时都是高温键合,传统的设备缺少风干功能,冷却效率慢,故而我们提出了一种避免错位的IGBT芯片自动键合装置来解决以上的问题。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种避免错位的IGBT芯片自动键合装置,具备减小晃动频率、风干冷却、键合效率高的优点,解决了现有设备晃动频率大、缺少风干冷却、键合效率低的问题。
(二)技术方案
为实现上述减小晃动频率、风干冷却、键合效率高目的,本实用新型提供如下技术方案:一种避免错位的IGBT芯片自动键合装置,包括底座,所述底座的上侧固定安装有两个支撑柱,两个所述支撑柱相对的一侧均固定安装有固定杆,两个所述固定杆相对的一侧固定安装有滑动机构,所述滑动机构的下侧安装有连接杆,所述连接杆的下端固定安装有材料箱,所述材料箱的下侧固定安装有第一升缩杆,所述第一升缩杆的下端固定安装有第二升缩杆,所述第二升缩杆上固定安装有减震机构,所述第二升缩杆的下端固定安装有键合机构。
优选的,所述底座的上侧固定安装有风干机构,所述风干机构的内部左端固定安装有风机,所述风干机构的内部左端固定安装有风向导板,当键合机构与芯片发生键合过后,风机产生动能,产生风力,风力通过风向导板吹向芯片键合部分,加快冷却效果,从而实现键合效率。
优选的,所述底座的上侧固定安装有支撑杆,所述支撑杆的上端安装有定位机构,所述定位机构的下端固定安装有防护垫,当芯片放置在工作台面上时,定位机构转动至相对方向,通过防护垫与芯片接触,定位机构将芯片牢牢固定住,防止在键合时芯片发生偏移。
优选的,所述定位机构呈弯折状,所述防护垫设置为绝缘材料,绝缘材料是一种不导电的材料,且具有良好的耐热性、耐潮性与一定的机械强度,通过防护垫将芯片有效固定且不损坏芯片性能。
优选的,所述底座的上侧固定安装有工作台,所述工作台上侧设置有芯片,当芯片需要键合时,将芯片放置在工作台上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造