[实用新型]一种避免错位的IGBT芯片自动键合装置有效

专利信息
申请号: 202020918500.4 申请日: 2020-05-26
公开(公告)号: CN211828705U 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 许桂林 申请(专利权)人: 江西全道半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/60
代理公司: 北京恒泰铭睿知识产权代理有限公司 11642 代理人: 何平
地址: 344200 江西省抚*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 避免 错位 igbt 芯片 自动 装置
【说明书】:

实用新型涉及IGBT芯片技术领域,且公开了一种避免错位的IGBT芯片自动键合装置,包括底座,所述底座的上侧固定安装有两个支撑柱,两个所述支撑柱相对的一侧均固定安装有固定杆,两个所述固定杆相对的一侧固定安装有滑动机构,所述滑动机构的下侧安装有连接杆,所述连接杆的下端固定安装有材料箱,所述材料箱的下侧固定安装有第一升缩杆。该避免错位的IGBT芯片自动键合装置,当滑块通过连接杆带动键合机构移动时,第二升缩杆移动时发生晃动,第二升缩杆撞击到缓冲机构上,缓冲机构缓解掉部分晃动力,另一部分通过缓冲机构传递到弹簧机构上,通过弹簧机构将其余的晃动力缓解掉,从而实现减小设备晃动频率的效果,使芯片键合更加稳定。

技术领域

本实用新型涉及IGBT芯片技术领域,具体为一种避免错位的IGBT芯片自动键合装置。

背景技术

IGBT是一种绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大,MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小,IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

随着芯片事业的发展,IGBT芯片广泛应用在家用电器、智能电网等各项领域上,随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见,用户对高质量等级的IGBT芯片的需求日益突出,在IGBT芯片制作的同时,需要对IGBT芯片进行键合处理,传统的设备在键合时晃动频率大,存在键合不稳定现象,且键合效率低,由于设备键合时都是高温键合,传统的设备缺少风干功能,冷却效率慢,故而我们提出了一种避免错位的IGBT芯片自动键合装置来解决以上的问题。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种避免错位的IGBT芯片自动键合装置,具备减小晃动频率、风干冷却、键合效率高的优点,解决了现有设备晃动频率大、缺少风干冷却、键合效率低的问题。

(二)技术方案

为实现上述减小晃动频率、风干冷却、键合效率高目的,本实用新型提供如下技术方案:一种避免错位的IGBT芯片自动键合装置,包括底座,所述底座的上侧固定安装有两个支撑柱,两个所述支撑柱相对的一侧均固定安装有固定杆,两个所述固定杆相对的一侧固定安装有滑动机构,所述滑动机构的下侧安装有连接杆,所述连接杆的下端固定安装有材料箱,所述材料箱的下侧固定安装有第一升缩杆,所述第一升缩杆的下端固定安装有第二升缩杆,所述第二升缩杆上固定安装有减震机构,所述第二升缩杆的下端固定安装有键合机构。

优选的,所述底座的上侧固定安装有风干机构,所述风干机构的内部左端固定安装有风机,所述风干机构的内部左端固定安装有风向导板,当键合机构与芯片发生键合过后,风机产生动能,产生风力,风力通过风向导板吹向芯片键合部分,加快冷却效果,从而实现键合效率。

优选的,所述底座的上侧固定安装有支撑杆,所述支撑杆的上端安装有定位机构,所述定位机构的下端固定安装有防护垫,当芯片放置在工作台面上时,定位机构转动至相对方向,通过防护垫与芯片接触,定位机构将芯片牢牢固定住,防止在键合时芯片发生偏移。

优选的,所述定位机构呈弯折状,所述防护垫设置为绝缘材料,绝缘材料是一种不导电的材料,且具有良好的耐热性、耐潮性与一定的机械强度,通过防护垫将芯片有效固定且不损坏芯片性能。

优选的,所述底座的上侧固定安装有工作台,所述工作台上侧设置有芯片,当芯片需要键合时,将芯片放置在工作台上。

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