[实用新型]一种多层堆叠的LDMOS功率器件

权利要求书

1.一种多层堆叠的LDMOS功率器件，其特征在于：包括2个以上的MOS器件单元；

每个MOS器件单元由掺杂层、漂移层、体区、第一重掺杂区、第二重掺杂区和第三重掺杂区组成；漂移层位于掺杂层的正上方；第一重掺杂区、第二重掺杂区和第三重掺杂区自左而右分布在漂移层的顶部，其中第一重掺杂区位于漂移层的顶部最左侧，第二重掺杂区与第一重掺杂区相贴，第三重掺杂区位于漂移层的顶部的最右侧；体区位于漂移层的左侧上部，且第一重掺杂区和第二重掺杂区均处于体区之内；掺杂层、体区和第一重掺杂区的掺杂极性相同；漂移层、第二重掺杂区和第三重掺杂区的掺杂极性相同；掺杂层和漂移层的掺杂极性相反；第一重掺杂区和第二重掺杂区的顶部相连后，形成MOS器件单元的源极；第二重掺杂区右侧的体区的顶部，形成MOS器件单元的栅极；第三重掺杂区的顶部，形成MOS器件单元的漏极；

所有MOS器件单元自下而上依次堆叠；在每2个相邻堆叠的MOS器件单元中，位于相对上层的MOS器件单元的掺杂层与位于相对下层的MOS器件单元的漂移层相交叠，且位于相对上层的MOS器件单元的总宽度小于等于位于相对下层的MOS器件单元的体区与第三重掺杂区之间的宽度；

所有MOS器件单元堆叠后，位于最下层的MOS器件单元的掺杂层形成该LDMOS功率器件的衬底；所有MOS器件单元的源极通过导线连接在一起，并形成该LDMOS功率器件的源极；所有MOS器件单元的栅极通过导线连接在一起，并形成该LDMOS功率器件的栅极；所有MOS器件单元的漏极通过导线连接在一起，并形成该LDMOS功率器件的漏极。

2.根据权利要求1所述的一种多层堆叠的LDMOS功率器件，其特征在于：在2个相邻堆叠的MOS器件单元的交叠处，即位于相对上层的MOS器件单元的掺杂层与位于相对下层的MOS器件单元的漂移层的交叠增设有交叠浮空层，该交叠浮空层位于上述交叠处的左侧和/或右侧。

3.根据权利要求2所述的一种多层堆叠的LDMOS功率器件，其特征在于：位于交叠处左侧的交叠浮空层的掺杂极性与位于交叠处右侧的交叠浮空层的掺杂极性相反。

4.根据权利要求1所述的一种多层堆叠的LDMOS功率器件，其特征在于：至少一个MOS器件单元的掺杂层和漂移层之间增设有单元内埋层，该单元内埋层位于该MOS器件单元的左侧。

5.根据权利要求4所述的一种多层堆叠的LDMOS功率器件，其特征在于：单元内埋层的掺杂极性与体区的掺杂极性相同。

6.根据权利要求1所述的一种多层堆叠的LDMOS功率器件，其特征在于：至少一个MOS器件单元的掺杂层内增设有横向延伸的单元内浮空层。

7.根据权利要求6所述的一种多层堆叠的LDMOS功率器件，其特征在于：单元内浮空层的掺杂极性与掺杂层的掺杂极性相同，且单元内浮空层的掺杂浓度大于掺杂层的掺杂浓度。