[实用新型]等离子体处理装置及蚀刻装置

说明书

本实用新型涉及一种等离子体处理装置及蚀刻装置，所述等离子体处理装置通过在蚀刻腔体内设置缓冲组件，所述缓冲组件用于对靠近所述排气管处的物质进行释缓以提高气压分布均匀性，所述缓冲组件包括第一缓冲组件和第二缓冲组件，所述第一缓冲组件位于所述第二缓冲组件与所述排气端的端面之间，所述第一缓冲组件、所述第二缓冲组件和所述端面的中心点均位于同一直线上；所述第一缓冲组件和所述第二缓冲组件均与所述蚀刻腔体的侧壁连接。本申请的等离子体处理装置提高了蚀刻腔体内各处气压的均衡性，尤其是均衡排气管处的气压，且还提高了排气管处的等离子体的分布的均匀性，进而提高蚀刻均一性。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种等离子体处理装置及蚀刻装置。

背景技术

在半导体器件和FPD(Flat Pannel Display，平板显示器)的制造工艺中的蚀刻、沉积、氧化、溅射等处理中，为了使处理气体在比较低的温度下良好地进行反应，常利用等离子体。一直以来，在这种等离子体处理中，多使用由MHz区域的高频放电产生的等离子体，例如在电浆蚀刻中在电浆蚀刻腔内通过高频放电产生等离子体进行蚀刻。

然而，传统电浆蚀刻腔内的等离子体及反应产生的尾气及蚀刻生成物均直接经排气管抽走，抽气口气压远高于其他位置气压，这种抽气模式导致腔体内等离子体密度分布差异较大，而等离子体密度与光阻蚀刻速率成正相关，进而导致产品蚀刻均一性较差，这也导致蚀刻时间增加。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一等离子体处理装置，至少部分解决现有技术中存在的问题。

第一方面，本申请提供了一种等离子体处理装置，包括蚀刻腔体和设于所述蚀刻腔体的排气端的至少两组缓冲组件；

所述至少两组缓冲组件包括第一缓冲组件和第二缓冲组件，所述第一缓冲组件和所述第二缓冲组件间隔第一预设距离，所述第一缓冲组件位于所述第二缓冲组件与所述排气端的端面之间，所述第一缓冲组件、所述第二缓冲组件和所述端面的中心点均位于同一直线上；

所述第一缓冲组件和所述第二缓冲组件均与所述蚀刻腔体的侧壁连接。

上述等离子体处理装置通过在排气端设置缓冲组件进而提高了蚀刻腔体内各处气压的均衡性，尤其是均衡排气管处的气压，等离子体处理装置还提高了排气管处的等离子体的分布的均匀性，进而提高了蚀刻均一性。

根据本申请的一种具体实现方式，所述第一缓冲组件与所述端面之间的间隔为第二预设距离，所述第二预设距离小于或等于所述第一预设距离。

根据本申请的一种具体实现方式，所述第二预设距离为40至60毫米。

根据本申请的一种具体实现方式，所述第一缓冲组件包括第一缓冲圈和第一缓冲板；所述第一缓冲板套装在所述第一缓冲圈内。采用第一缓冲板和第一缓冲圈的组成形式均匀地提高经过此处的物质的压力，进而提高了气压在排气端的分布均匀性。

根据本申请的一种具体实现方式，所述第二缓冲组件包括第二缓冲圈和第二缓冲板；所述第二缓冲板套装在所述第二缓冲圈内。采用第二缓冲板和第二缓冲圈的组成形式均匀地提高经过此处的物质的压力，进而提高了气压在排气端的分布均匀性。

根据本申请的一种具体实现方式，所述第一预设距离为40至60毫米。

根据本申请的一种具体实现方式，所述等离子体处理装置还包括固定件，所述第一缓冲组件和所述第二缓冲组件均通过所述固定件固定连接在所述蚀刻腔体的侧壁。通过固定件将第一缓冲组件和第二缓冲组件固定在蚀刻腔体的侧壁，提高缓冲组件的安装便利性。

根据本申请的一种具体实现方式，所述固定件为真空螺母。采用真空螺母安装第一缓冲组件和第二缓冲组件简化了缓冲组件的安装结构。