[实用新型]动态随机存取存储器有效
| 申请号： | 202020937265.5 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN211789014U | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 冯立伟 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 | ||
1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括:
一衬底，包括多个有源区以及一隔离结构包围所述多个有源区；
多条位线位于所述衬底上，其中所述位线包括一硅层；以及
一金属硅化物，位于所述位线的所述硅层的侧壁上。
2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述位线还包括:一导电层位于所述硅层上；以及
一硬掩膜层位于所述导电层上，其中所述硅层的宽度小于2/3所述硬掩膜层的宽度。
3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述金属硅化物凸出于所述导电层的侧壁。
4.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，还包括:
介电层，位于所述位线与所述衬底之间；以及
多个凹陷区域穿过所述介电层并显露出部分所述有源区和部分所述隔离结构，其中所述位线的所述硅层与所述凹陷区域内的所述有源区直接接触。
5.如权利要求4所述的动态随机存取存储器，其特征在于，部分所述金属硅化物位于所述凹陷区域内的所述有源区上。
6.如权利要求4所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述金属硅化物位于所述硅层的上部的侧壁上，不位于所述硅层的下部的侧壁上，且与所述凹陷区域内的所述有源区不直接接触。
7.如权利要求4所述的动态随机存取存储器，其特征在于，部分所述金属硅化物与所述凹陷区域内的所述隔离结构直接接触。
8.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，还包括位于所述位线的侧壁上的侧壁子，其中所述金属硅化物被所述侧壁子覆盖。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
