[实用新型]动态随机存取存储器

说明书

本实用新型公开了一种动态随机存取存储器。该动态随机存取存储器包括：一衬底，包括多个有源区以及一隔离结构包围所述多个有源区；多条位线位于所述衬底上，其中所述位线包括一硅层；一金属硅化物，位于所述位线的所述硅层的侧壁上。本实用新型提供的动态随机存取存储器，通过在位线的侧壁形成金属硅化物，可降低位线电阻进而获得提升的效能。

技术领域

本实用新型是关于一种存储器及其制作方法，特别是一种动态随机存取存储器。

背景技术

动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)属于一种挥发性储器，包含由复数个存储单元(memory cell)构成的阵列区(array area)以及由控制电路构成的周边区(peripheral area)。各存储单元包含一晶体管(transistor)电连接至一电容器(capacitor)，由该晶体管控制该电容器中电荷的存储或释放来达到存储数据的目的。控制电路通过横跨阵列区并与各存储单元电连接的字线(word line,WL)与位线(bit line,BL)，可定位至每一存储单元以控制其数据的存取。

随着世代演进，存储单元的尺寸被逐渐微缩以在单位面积内获得更高的集密度和存储容量。但尺寸的微缩会导致存储器的线路的电阻增加而影响到效能。

实用新型内容

本实用新型一方面提供一种动态随机存取存储器的制作方法，包括以下步骤。首先提供一衬底，其包括多个有源区以及一隔离结构包围所述多个有源区。接着，于所述衬底上形成一位线堆叠层，其中所述位线堆叠层包括一硅层。然后图案化所述位线堆叠层以形成多条位线，以及于所述位线的所述硅层的侧壁上形成一金属硅化物。

本实用新型另一方面提供一种动态随机存取存储器，包括一衬底，包括多个有源区以及一隔离结构包围所述多个有源区。多条位线位于所述衬底上，其中所述位线包括一硅层。一金属硅化物，位于所述位线的所述硅层的侧壁上。

本实用新型提供的动态随机存取存储器及其制作方法，通过在位线的侧壁形成金属硅化物，可降低位线电阻进而获得提升的效能。

附图说明

为了便于理解，在可能的情况下使用相同的附图标记来指示图中共有的相同元件，而可以预期的是，在一个实施例中所揭露的元件可不须特定叙述而将其利用于其他实施例。除非特别说明，否则本文的附图不应被理解为按比例绘制，并且，为了清楚的表达与解释，附图通常被简化且省略了细节或元件，而本文附图与详述用于解释下文所讨论的原理，并以相似的标号表示相同的元件。

图1A、图1B、图2A、图2B、图3、图4A和图4B为根据本实用新型一实施例之动态随机存取存储器的制作方法步骤示意图，其中:

图1A为动态随机存取存储器的俯视图；

图1B为动态随机存取存储器于形成位线堆叠层后沿着图1A所示A-A’切线的剖面图；

图2A为动态随机存取存储器于形成位线后的俯视图；

图2B为动态随机存取存储器于形成位线后沿着图1A所示A-A’切线的剖面图；

图3为动态随机存取存储器于形成金属层后沿着图1A所示A-A’切线的剖面图；

图4A为动态随机存取存储器于形成金属硅化物后沿着图1A所示A-A’切线的剖面图。

图4B为动态随机存取存储器于形成侧壁子后沿着图1A所示A-A’切线的剖面图。

图4C为根据本实用新型一实施例之动态随机存取存储器的剖面示意图。

图5A、图5B、图6、图7、图8A和图8B为根据本实用新型另一实施例之动态随机存取存储器的制作方法步骤示意图，其中: