[实用新型]一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片

权利要求书

1.一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片，其特征在于，所述白光LED芯片包括：

基底；

设置在所述基底一侧的发光薄膜层；

设置在所述白光LED芯片侧边的保护层，所述保护层具有反射效果以使所述白光LED芯片实现单面出光；

设置在出光面上的三维荧光胶层，所述三维荧光胶层各个位置的厚度与相对应位置处的蓝光光强相匹配。

2.根据权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述基底为透明基底。

3.根据权利要求2所述的白光LED芯片，其特征在于，所述发光薄膜层和所述三维荧光胶层设置在所述基底的两侧。

4.根据权利要求3所述的白光LED芯片，其特征在于，所述白光LED芯片还包括：

设置在所述发光薄膜层背离所述基底一侧的N电极焊盘和P电极焊盘。

5.根据权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述发光薄膜层和所述三维荧光胶层设置在所述基底的同侧，且所述发光薄膜层位于所述三维荧光胶层和所述基底之间。

6.根据权利要求5所述的白光LED芯片，其特征在于，所述白光LED芯片还包括：

设置在所述发光薄膜层背离所述基底一侧的N电极焊盘和P电极焊盘。

7.根据权利要求6所述的白光LED芯片，其特征在于，所述保护层还部分覆盖所述发光薄膜层，且未覆盖所述N电极焊盘和所述P电极焊盘。

8.根据权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述三维荧光胶层各个位置的厚度与相对应位置处的蓝光光强相匹配，包括：

所述三维荧光胶层各个位置的厚度与该位置处的蓝光光强满足：T_i＝K₂*WLD_i*E_i/(CCT*Ra)；

其中，T_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的三维荧光胶层厚度；

K₂表示系数常量；

WLD_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的蓝光波长；

E_i表示所述白光LED芯片出光面i位置处的蓝光光强；

CCT表示目标色温；

Ra表示目标显示指数。

9.根据权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述白光LED芯片还包括：

设置在所述三维荧光胶层和所述出光面之间的硅胶层。

10.根据权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述三维荧光胶层包括：

红粉荧光胶层、黄粉荧光胶层和绿粉荧光胶层。

11.根据权利要求10所述的白光LED芯片，其特征在于，所述红粉荧光胶层、所述黄粉荧光胶层和所述绿粉荧光胶层在出光面上依次设置，且所述红粉荧光胶层相邻所述出光面设置。