[实用新型]射频前端模组、射频通信装置和电子设备

说明书

本实用新型公开了一种射频前端模组、射频通信装置和电子设备。射频前端模组包括基板、滤波电路和频分器。基板包括层叠设置的多个介质层和分别形成于多个介质层的多个导电层，基板内的至少2个导电层配合形成滤波电路，基板内的至少2个导电层配合形成频分器。射频前端模组的基板采用多层结构设计，并形成有层叠设置的导电层，通过介质层将多个导电层隔开从而把频分器和滤波电路集成在封装基板中，而控制芯片以及其他分立器件则安装在封装基板之上，从而在小的体积中实现无源器件的集成，使得体积以及成本大幅降低。

技术领域

本实用新型涉及射频通信技术领域，更具体而言，涉及一种射频前端模组、射频通信装置和电子设备。

背景技术

相关技术中，系统级芯片可以采用片上系统(System-on-a-Chip，SoC)集成的方式或系统级封装(System In a Package，SIP)的方式形成器件模组。其中，片上系统可以在单个芯片上通过集成电路集成一个完整的系统，把所有或部分必要的功能集成进单个芯片。然而，对于无线通信应用来说，由于射频芯片难以用硅平面工艺实现，使得采用片上系统能实现的集成度相对较低，性能难以满足要求。如何设计射频前端模组结构提高模组的集成度以满足射频前端电子元器件的小型化需求成为待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型实施方式提供一种射频前端模组、射频通信装置和电子设备。

本实用新型实施方式的射频前端模组包括基板、滤波电路和频分器，所述基板包括层叠设置的多个介质层和分别形成于多个所述介质层的多个导电层，所述基板内的至少2个所述导电层配合形成所述滤波电路，所述基板内的至少2个所述导电层配合形成所述频分器。

本实用新型实施方式的射频前端模组的基板采用多层结构设计，并形成有层叠设置的导电层，通过介质层将多个导电层隔开从而把频分器和滤波电路集成在封装基板中，而控制芯片以及其他分立器件则安装在封装基板之上，从而在小的体积中实现无源器件的集成，使得体积以及成本大幅降低。

在某些实施方式中，所述导电层包括第一接地层，和位于所述第一接地层相邻两侧的第一电极层和第二电极层，所述第一接地层、所述第一电极层与所述第二电极层配合形成所述滤波电路。

在某些实施方式中，所述射频前端模组包括低噪声放大器，所述第一电极层与所述第一接地层形成第一对地电容，所述第一电极层连接所述低噪声放大器的使能端以对所述低噪声放大器的使能信号进行滤波。

在某些实施方式中，所述第二电极层与所述第一接地层形成第二对地电容，所述第二电极层连接所述低噪声放大器的电源输入端以对所述低噪声放大器的电源信号进行滤波。

在某些实施方式中，所述导电层包括位于基板表面的连接层，所述连接层包括多个连接点，所述低噪声放大器通过多个所述连接点与所述滤波电路电性连接。

在某些实施方式中，形成所述频分器的所述导电层中相邻的至少2个所述导电层包括电感走线，所述相邻的至少2个所述导电层中的所述电感走线依次连接呈螺旋状以形成电感。

在某些实施方式中，所述电感的数量为多个，形成不同所述电感的所述电感走线在层叠方向上错开设置。

在某些实施方式中，形成所述频分器的所述导电层中相邻的至少2个所述导电层包括电容极板，相邻2个所述导电层中位置对应的所述电容极板形成电容。

在某些实施方式中，形成所述频分器的所述导电层包括第二接地层和与所述第二接地层相邻的第三电极层，所述第三电极层包括多个电容极板，所述多个电容极板与所述第二接地层形成多个电容。

本实用新型实施方式的射频通信装置包括天线和上述任一实施方式所述的射频前端模组，所述频分器连接所述天线。

本实用新型实施方式的电子设备包括上述实施方式所述的射频通信装置。