[实用新型]一种PCB板的晶振屏蔽结构有效
申请号: | 202020977310.X | 申请日: | 2020-06-02 |
公开(公告)号: | CN212163821U | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 雷维;李麟;王灿钟 | 申请(专利权)人: | 长沙市全博电子科技有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K1/11;H05K1/14 |
代理公司: | 深圳市远航专利商标事务所(普通合伙) 44276 | 代理人: | 张朝阳;袁浩华 |
地址: | 410205 湖南省长沙市*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pcb 屏蔽 结构 | ||
1.一种PCB板的晶振屏蔽结构,其特征在于,包括由上至下设置的表面走线层和若干个内部走线层,
所述表面走线层上设置有晶振、IC芯片、第一屏蔽地铜箔及第一其他地铜箔,所述第一屏蔽地铜箔将所述晶振围住,并仅在所述晶振与所述IC芯片的走线区域设置开口,所述第一其他地铜箔设置在所述第一屏蔽地铜箔的外围,所述晶振分别与所述IC芯片和所述第一屏蔽地铜箔电性连接,
所述内部走线层上均设置有第二屏蔽地铜箔和第二其他地铜箔,所述第二屏蔽地铜箔设置在所述第一屏蔽地铜箔的正下方,所述第二其他地铜箔设置在所述第一其他地铜箔的正下方,所述第二其他地铜箔将所述第二屏蔽地铜箔围住,并仅在所述晶振与所述IC芯片的走线区域与所述第二屏蔽地铜箔连接,
所述第一屏蔽地铜箔通过多数个第一金属地过孔与每一所述内部走线层上的所述第二屏蔽地铜箔连接,所述第一其他地铜箔通过多数个第二金属地过孔与每一所述内部走线层上的所述第二其他地铜箔连接。
2.根据权利要求1所述的PCB板的晶振屏蔽结构,其特征在于,所述第一屏蔽地铜箔与所述第一其他地铜箔之间的距离大于0.3mm。
3.根据权利要求1所述的PCB板的晶振屏蔽结构,其特征在于,相邻的两个所述第一金属地过孔之间的距离小于3mm,相邻的两个所述第二金属地过孔之间的距离小于3mm。
4.根据权利要求1所述的PCB板的晶振屏蔽结构,其特征在于,多数个所述第一金属地过孔均匀的设置在所述第一屏蔽地铜箔及每一所述内部走线层上的所述第二屏蔽地铜箔上,多数个所述第二金属地过孔均匀的设置在所述第一其他地铜箔及每一所述内部走线层上的所述第二屏蔽地铜箔上。
5.根据权利要求1所述的PCB板的晶振屏蔽结构,其特征在于,所述第一金属地过孔与所述第二金属地过孔的直径相同。
6.根据权利要求1所述的PCB板的晶振屏蔽结构,其特征在于,所述第一屏蔽地铜箔的最小宽度大于0.5mm。
7.根据权利要求1所述的PCB板的晶振屏蔽结构,其特征在于,所述晶振为二脚晶振。
8.根据权利要求7所述的PCB板的晶振屏蔽结构,其特征在于,所述表面走线层上还设置有第一电阻、第二电阻、第一电容及第二电容,所述第一屏蔽地铜箔将所述第一电阻、所述第二电阻、所述第一电容及所述第二电容围住,所述晶振的一端分别与所述第一电阻的一端、所述第一电容的一端及所述IC芯片的第一时钟信号引脚电性连接,所述晶振的另一端分别与所述第二电阻的一端和所述第二电容的一端电性连接,所述第一电阻的另一端和所述第二电阻的另一端分别与所述IC芯片的第二时钟信号引脚电性连接,所述第一电容的另一端和所述第二电容的另一端分别与所述第一屏蔽地铜箔电性连接。
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