[实用新型]一种PCB板的晶振屏蔽结构

说明书

本实用新型公开了一种PCB板的晶振屏蔽结构，包括由上至下设置的表面走线层和若干个内部走线层，表面走线层上设置有晶振、IC芯片、第一屏蔽地铜箔及第一其他地铜箔，第一其他地铜箔设置在第一屏蔽地铜箔的外围，内部走线层上均设置有第二屏蔽地铜箔和第二其他地铜箔，第二其他地铜箔将第二屏蔽地铜箔围住，并仅在晶振与IC芯片的走线区域与第二屏蔽地铜箔连接，第一屏蔽地铜箔通过多数个第一金属地过孔与每一内部走线层上的第二屏蔽地铜箔连接，第一其他地铜箔通过多数个第二金属地过孔与每一内部走线层上的第二其他地铜箔连接。本实用新型通过包地并等距添加地过孔的形式，形成立体的屏蔽腔体，防止晶振干扰PCB板上的其他信号。

技术领域

本实用新型涉及电路板领域，具体的说，是涉及一种PCB板的晶振屏蔽结构。

背景技术

晶振作为数字电路中的常见器件，在整个电路系统中有着举足轻重的作用。除了晶振本身产品的质量外，晶振PCB layout的好坏也直接影响到整个系统的稳定性。目前大部分layout工程师设计晶振还停留以下几个方法：对于晶振模块做简单的同层包地处理；晶振地与其他信号地之间通过电容或者其他隔离器件隔离；挖空晶振区域的下一层或多层铜箔。上述方法对于EMI的防护能够起到一定的作用，但是同时也存在以下几个缺点：

1、晶振干扰可通过晶振周围的地铜箔传导至其他敏感器件或信号；

2、隔离器件不仅增加了产品成本，还减少了PCB layout的整体可布局、布线空间

3、挖空晶振区域下一层或多层铜箔会影响连接到IC芯片的时钟线阻抗控制。

以上不足，有待改善。

发明内容

为了克服现有的技术的不足， 本实用新型提供一种PCB板的晶振屏蔽结构。

本实用新型技术方案如下所述：

一种PCB板的晶振屏蔽结构，其特征在于，包括由上至下设置的表面走线层和若干个内部走线层，

所述表面走线层上设置有晶振、IC芯片、第一屏蔽地铜箔及第一其他地铜箔，所述第一屏蔽地铜箔将所述晶振围住，并仅在所述晶振与所述IC芯片的走线区域设置开口，所述第一其他地铜箔设置在所述第一屏蔽地铜箔的外围，所述晶振分别与所述IC芯片和所述第一屏蔽地铜箔电性连接，

所述内部走线层上均设置有第二屏蔽地铜箔和第二其他地铜箔，所述第二屏蔽地铜箔设置在所述第一屏蔽地铜箔的正下方，所述第二其他地铜箔设置在所述第一其他地铜箔的正下方，所述第二其他地铜箔将所述第二屏蔽地铜箔围住，并仅在所述晶振与所述IC芯片的走线区域与所述第二屏蔽地铜箔连接，

所述第一屏蔽地铜箔通过多数个第一金属地过孔与每一所述内部走线层上的所述第二屏蔽地铜箔连接，所述第一其他地铜箔通过多数个第二金属地过孔与每一所述内部走线层上的所述第二其他地铜箔连接。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述第一屏蔽地铜箔与所述第一其他地铜箔之间的距离大于0.3mm。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，相邻的两个所述第一金属地过孔之间的距离小于3mm，相邻的两个所述第二金属地过孔之间的距离小于3mm。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，多数个所述第一金属地过孔均匀的设置在所述第一屏蔽地铜箔及每一所述内部走线层上的所述第二屏蔽地铜箔上，多数个所述第二金属地过孔均匀的设置在所述第一其他地铜箔及每一所述内部走线层上的所述第二屏蔽地铜箔上。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述第一金属地过孔与所述第二金属地过孔的直径相同。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述第一屏蔽地铜箔的最小宽度大于0.5mm。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述晶振为二脚晶振。