[实用新型]字线电压产生电路有效

专利信息
申请号: 202020988778.9 申请日: 2020-06-02
公开(公告)号: CN213716521U 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 张登军;李建球;朱志能;郭润森;胡晓琼 申请(专利权)人: 珠海博雅科技有限公司
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯;张靖琳
地址: 519080 广东省珠海市唐家湾镇大学路*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电压 产生 电路
【权利要求书】:

1.一种字线电压产生电路,其特征在于,所述字线电压产生电路用于存储器,所述存储器包括呈阵列排列的多个存储单元,其中每一行存储单元的控制端耦合到对应的字线,所述字线电压产生电路包括:

多个字线电压产生单元,所述字线电压产生单元的个数与所述存储器中的所述存储单元的行数一致,每个所述字线电压产生单元与所述每一行存储单元对应的字线连接,所述多个字线电压产生单元用于分别在不同的配置电压下为所述每一行存储单元的控制端提供不同的字线电压;

供电单元,与所述多个字线电压产生单元连接,用于根据控制信号分别为所述多个字线电压产生单元提供所述不同的配置电压。

2.根据权利要求1所述的字线电压产生电路,其特征在于,所述字线电压产生单元包括:

第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管,所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管串联连接,所述第二晶体管和所述第三晶体管的串联连接节点与所述第四晶体管的第一通路端连接,

所述第一晶体管和所述第二晶体管的串联连接节点与所述每一行存储单元对应的字线连接,用来提供所述字线电压。

3.根据权利要求2所述的字线电压产生电路,其特征在于,

所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管的导电类型相同,所述第一晶体管的第二通路端与所述第二晶体管的第一通路端连接,所述第二晶体管的第二通路端与所述第三晶体管的第一通路端连接;

所述第四晶体管与所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管的导电类型相反。

4.根据权利要求3所述的字线电压产生电路,其特征在于,

所述字线电压产生单元在所述不同的配置电压下为所述每一行存储单元的控制端提供的所述不同的字线电压包括:第一正电压、第一负电压和第二负电压,所述第一负电压小于所述第二负电压,所述第二负电压接近于零。

5.根据权利要求4所述的字线电压产生电路,其特征在于,

对于每个所述字线电压产生单元,所述供电单元根据控制信号分别为所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的控制端提供第一控制电压、第二控制电压、第三控制电压和第四控制电压,

为所述第一晶体管的第一通路端提供第一通路电压,为所述第三晶体管的第二通路端提供第二通路电压,为所述第四晶体管的第二通路端提供第三通路电压;

所述配置电压包括:所述第一控制电压、所述第二控制电压、所述第三控制电压、所述第四控制电压、所述第一通路电压、所述第二通路电压和所述第三通路电压。

6.根据权利要求5所述的字线电压产生电路,其特征在于,

当在所述配置电压的控制下,所述第一晶体管导通,所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管关闭时,经由所述第一晶体管的第一通路端和所述第一晶体管的第二通路端将所述第一通路电压提供给所述每一行存储单元对应的字线。

7.根据权利要求5所述的字线电压产生电路,其特征在于,

当在所述配置电压的控制下,所述第一晶体管和所述第四晶体管关闭,所述第二晶体管和所述第三晶体管导通时,经由所述第三晶体管的第二通路端、所述第三晶体管的第一通路端、所述第二晶体管的第二通路端和所述第二晶体管的第一通路端将所述第二通路电压提供给所述每一行存储单元对应的字线。

8.根据权利要求5所述的字线电压产生电路,其特征在于,

当在所述配置电压的控制下,所述第一晶体管和所述第三晶体管关闭,所述第二晶体管和所述第四晶体管导通时,经由所述第四晶体管的第二通路端、所述第四晶体管的第一通路端、所述第二晶体管的第二通路端和所述第二晶体管的第一通路端将所述第三通路电压提供给所述每一行存储单元对应的字线。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的字线电压产生电路,其特征在于,所述第一通路电压为所述第一正电压,所述第二通路电压为所述第一负电压,所述第三通路电压为所述第二负电压。

10.根据权利要求9所述的字线电压产生电路,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管为N型场效应晶体管,所述第四晶体管为P型场效应晶体管。

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