[实用新型]字线电压产生电路有效
申请号: | 202020988778.9 | 申请日: | 2020-06-02 |
公开(公告)号: | CN213716521U | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 张登军;李建球;朱志能;郭润森;胡晓琼 | 申请(专利权)人: | 珠海博雅科技有限公司 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
地址: | 519080 广东省珠海市唐家湾镇大学路*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 产生 电路 | ||
本实用新型公开了一种字线电压产生电路,涉及存储器技术领域。字线电压产生电路包括:多个字线电压产生单元,字线电压产生单元的个数与存储器中的存储单元的行数一致,每个字线电压产生单元与每一行存储单元对应的字线连接,多个字线电压产生单元用于分别在不同的配置电压下为每一行存储单元的控制端提供不同的字线电压;供电单元,与多个字线电压产生单元连接,用于根据控制信号分别为多个字线电压产生单元提供不同的配置电压。该字线电压产生电路可产生不同的多个字线电压,进而通过该字线电压产生电路提供擦除操作字线电压和读写操作字线电压,减少了字线电压产生电路的成本,同时减少了字线电压产生电路在芯片的占用面积。
技术领域
本实用新型涉及存储器技术领域,具体涉及一种字线电压产生电路。
背景技术
存储器是一种用来存储信息或数据的半导体元件,随着计算机微处理器的发展,通过软件执行的程序与操作也随之增加。因此,具有高存储容量存储器的需求也逐渐增加。存储器包括呈阵列排列的多个存储单元。对存储单元进行快速擦除和读写,一直是高速存储器芯片(如flash等)的追求目标。存储单元的字线上的擦除操作字线电压和读写操作字线电压的建立时间是制约读写速度的重要因素,因此,对于存储器来说,字线电压产生电路尤为重要。
相关技术中,对存储单元进行擦除和读写操作时,所需提供的存储单元的字线上的擦除操作字线电压和读写操作字线电压不同。通常需要使用不同的字线电压产生电路来分别产生擦除操作字线电压和读写操作字线电压,这使得该不同的字线电压产生电路需要使用较多的电阻以及较多的晶体管,提高了字线电压产生电路的成本,同时增大了字线电压产生电路在芯片的占用面积。
实用新型内容
为了克服相关技术中存在的使用不同的字线电压产生电路来分别产生擦除操作字线电压和读写操作字线电压致使字线电压产生电路的成本高、芯片的占用面积大的问题,本实用新型实施例提供了一种字线电压产生电路。
根据本实用新型的一方面,提供一种用于存储器的字线电压产生电路,所述存储器包括呈阵列排列的多个存储单元,其中每一行存储单元的控制端耦合到对应的字线,所述字线电压产生电路包括:
多个字线电压产生单元,所述字线电压产生单元的个数与所述存储器中的所述存储单元的行数一致,每个所述字线电压产生单元与所述每一行存储单元对应的字线连接,所述多个字线电压产生单元用于分别在不同的配置电压下为所述每一行存储单元的控制端提供不同的字线电压;
供电单元,与所述多个字线电压产生单元连接,用于根据控制信号分别为所述多个字线电压产生单元提供所述不同的配置电压。
可选地,所述字线电压产生单元包括:
第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管,所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管串联连接,所述第二晶体管和所述第三晶体管的串联连接节点与所述第四晶体管的第一通路端连接,
所述第一晶体管和所述第二晶体管的串联连接节点与所述每一行存储单元对应的字线连接,用来提供所述字线电压。
可选地,所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管的导电类型相同,所述第一晶体管的第二通路端与所述第二晶体管的第一通路端连接,所述第二晶体管的第二通路端与所述第三晶体管的第一通路端连接;
所述第四晶体管与所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管的导电类型相反。
可选地,所述字线电压产生单元在所述不同的配置电压下为所述每一行存储单元的控制端提供的所述不同的字线电压包括:第一正电压、第一负电压和第二负电压,所述第一负电压小于所述第二负电压,所述第二负电压接近于零。
可选地,对于每个所述字线电压产生单元,所述供电单元根据控制信号分别为所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的控制端提供第一控制电压、第二控制电压、第三控制电压和第四控制电压,
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