[实用新型]套刻对准标记

权利要求书

1.一种位于已形成图案的晶片中的套刻对准标记，其特征在于，所述晶片具备位于所述晶片的第一层中的下层图案和位于所述晶片的第一层上方的第二层中的上层图案，所述套刻对准标记包括：

第一图案，作为所述下层图案的一部分且包括：形成于所述第一层的一对实体特征；

第二图案，作为所述上层图案的一部分且包括：形成于所述第二层的两对镂空特征，一对镂空特征的几何中心连线与另一对镂空特征的几何中心连线分别沿正交的两方向延伸，

其中，所述一对实体特征在晶片上的正投影与所述两对镂空特征中的相应一对镂空特征在晶片上的正投影至少部分地重叠。

2.根据权利要求1所述的套刻对准标记，其特征在于，

所述一对实体特征设计成第一层中的关于第一参考点成中心对称和镜像对称的具备条形截面的两个实体图案，

所述两对镂空特征设计成第二层中的具备矩形截面的两对通孔且各对通孔的几何中心连线分别沿正交的所述两方向延伸，其中一对通孔作为能够透过其而至少部分地观察到所述一对实体特征的所述相应一对镂空特征，另一对通孔关于第二参考点成中心对称和镜像对称，所述相应一对镂空特征的几何中心连线的延伸方向作为第一方向；以及

所述条形截面的沿与第一方向正交的第二方向延伸的两个对置侧边从所述相应一对镂空特征至少部分地暴露。

3.根据权利要求2所述的套刻对准标记，其特征在于，所述晶片的所述上层图案包括呈阵列布置的多个通孔，且所述两对镂空特征包括：所述多个通孔中的沿着所述阵列的行方向和列方向之一布置的第一对通孔和沿着所述阵列的行方向和列方向中的另一个布置的第二对通孔，且所述一对实体特征的条形截面的沿所述行方向和所述列方向之一延伸的两对置侧边从相应的第一对通孔或第二对通孔至少部分地暴露。

4.根据权利要求2所述的套刻对准标记，其特征在于，所述第一参考点在第一方向上的坐标值和所述第二参考点在第一方向上的坐标值设计成彼此之间差值为第一常量。

5.根据权利要求4所述的套刻对准标记，其特征在于，所述第一常量为零。

6.根据权利要求4所述的套刻对准标记，其特征在于，晶片的不同层之间的套刻误差是所述第一层与所述第二层之间的套刻误差，至少包括：

所述第一层与所述第二层沿所述第一方向的偏差，被限定为所述第一图案与所述第二图案沿所述第一方向的偏差减去所述第一常量。

7.根据权利要求6所述的套刻对准标记，其特征在于，所述第一图案与所述第二图案沿所述第一方向的偏差，被限定为所述第一参考点在第一方向上的坐标值与所述第二参考点在所述第一方向上的坐标值之差。

8.根据权利要求7所述的套刻对准标记，其特征在于，所述第一参考点在第一方向上的坐标值被限定为：所述一对实体特征各自的所述两对置侧边在第一方向上的坐标值的均值之和的一半。

9.根据权利要求6所述的套刻对准标记，其特征在于，所述第一图案与所述第二图案沿所述第一方向的偏差被限定为所述一对实体特征各自的平行于第二方向的中心线与所述第二参考点相距距离之间的差值的1/2。

10.根据权利要求9所述的套刻对准标记，其特征在于，每个实体特征的平行于第二方向的中心线与所述第二参考点相距距离被限定为：每个实体特征的沿第二方向延伸的对置的所述两对置侧边在第一方向上的坐标值的均值与所述第二参考点在所述第一方向上的坐标值之差的绝对值。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的套刻对准标记，其特征在于，所述两对镂空特征中不同于所述相应一对镂空特征的另一对镂空特征被设计成各自的几何中心点在第一方向上坐标值的均值与所述第二参考点在第一方向上的坐标值相同。