[实用新型]一种改变SiC晶片翘曲度的抛光装置

权利要求书

1.一种改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，包括机架和可转动设置于所述机架上的抛光盘，所述抛光盘上固定有一抛光垫，其特征在于，所述抛光垫边缘处至少设有一可转动并可下压的抛光头组件，所述抛光头组件底部设有用于收容晶片的收容槽，所述收容槽底部设有用于吸附所述晶片的吸气通道。

2.根据权利要求1所述的改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，其特征在于，所述收容槽深度小于所述晶片深度，所述晶片的吸附面上贴附有保护膜。

3.根据权利要求1所述的改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，其特征在于，所述抛光头组件包括陶瓷盘和抛光固定头，所述抛光固定头叠加固定于所述陶瓷盘上表面，所述收容槽位于所述陶瓷盘底部。

4.根据权利要求3所述的改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，其特征在于，所述抛光固定头通过一修整环与所述陶瓷盘固定连接，所述修整环套设于所述陶瓷盘和抛光固定头外。

5.根据权利要求3所述的改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，其特征在于，所述抛光固定头上穿设有多个上吸气孔，所述陶瓷盘上穿设有多个下吸气孔，所述上吸气孔与所述下吸气孔之间通过设置于所述抛光固定头底部的连接腔连通，形成所述吸气通道，所述吸气通道与所述收容槽连通。

6.根据权利要求5所述的改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，其特征在于，所述上吸气孔上设有吸气管，多个所述吸气管通过同一管道与真空泵连接。

7.根据权利要求1所述的改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，其特征在于，所述抛光头组件由固定于所述机架上的气缸驱动上下移动，所述气缸位于所述抛光头组件上方并通过一框型的支架与所述抛光头组件固定连接。

8.根据权利要求7所述的改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，其特征在于，所述支架上固定设有一供所述气缸的气缸轴穿过的轴承座，所述支架相对所述气缸轴转动。

9.根据权利要求8所述的改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，其特征在于，所述气缸轴穿过所述支架且其末端固定有一电机，所述电机的输出轴与所述抛光头组件固定连接。

10.根据权利要求1所述的改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，其特征在于，所述抛光盘上方设有一出料管，所述出料管与所述抛光盘同轴。