[实用新型]一种改变SiC晶片翘曲度的抛光装置

说明书

本实用新型公开了一种改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，包括机架和可转动设置于所述机架上的抛光盘，所述抛光盘上固定有一抛光垫，所述抛光垫边缘处至少设有一可转动并可下压的抛光头组件，所述抛光头组件底部设有用于收容晶片的收容槽，所述收容槽底部设有用于吸附所述晶片的吸气通道。本实用新型利用抛光头组件吸附晶片并将晶片下压至旋转的抛光垫上，抛光晶片，使晶片翘曲面平坦化。

技术领域

本实用新型属于半导体晶片加工技术领域，尤其涉及一种改变SiC晶片翘曲度的抛光装置。

背景技术

第三代半导体由于其特殊的物理、化学及良好的光学性能，在航空航天、探测卫星等先进领域应用越来越广泛，因此对晶片无缺陷生长及无损伤加工的要求也越来越高。

SiC晶片在外延工艺过程中，处于1000摄氏度以上的高温环境内，SiC晶片受热应力的影响翘曲会增大。晶片翘曲偏大对器件的制备有一定的影响，严重的情况会导致光刻不准确。通常利用刻蚀或利用碱性溶液对晶片进行电离，解决晶片翘曲问题，但这些工艺条件要求苛刻，且加工效率不高，难以实现批量生产。

因此，发明人致力于设计一种抛光装置以解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于：提供一种改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，利用抛光头组件吸附晶片并将晶片下压至旋转的抛光垫上，抛光晶片，使晶片翘曲面平坦化。

为了达到上述目的，本实用新型所采用的一种技术方案为：

一种改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，包括机架和可转动设置于所述机架上的抛光盘，所述抛光盘上固定有一抛光垫，所述抛光垫边缘处至少设有一可转动并可下压的抛光头组件，所述抛光头组件底部设有用于收容晶片的收容槽，所述收容槽底部设有用于吸附所述晶片的吸气通道。

作为本实用新型改变SiC晶片翘曲度的抛光装置的一种改进，所述收容槽深度小于所述晶片深度，所述晶片的吸附面上贴附有保护膜。

作为本实用新型改变SiC晶片翘曲度的抛光装置的一种改进，所述抛光头组件包括陶瓷盘和抛光固定头，所述抛光固定头叠加固定于所述陶瓷盘上表面，所述收容槽位于所述陶瓷盘底部。

作为本实用新型改变SiC晶片翘曲度的抛光装置的一种改进，所述抛光固定头通过一修整环与所述陶瓷盘固定连接，所述修整环套设于所述陶瓷盘和抛光固定头外。

作为本实用新型改变SiC晶片翘曲度的抛光装置的一种改进，所述抛光固定头上穿设有多个上吸气孔，所述陶瓷盘上穿设有多个下吸气孔，所述上吸气孔与所述下吸气孔之间通过设置于所述抛光固定头底部的连接腔连通，形成所述吸气通道，所述吸气通道与所述收容槽连通。

作为本实用新型改变SiC晶片翘曲度的抛光装置的一种改进，所述上吸气孔上设有吸气管，多个所述吸气管通过同一管道与真空泵连接。

作为本实用新型改变SiC晶片翘曲度的抛光装置的一种改进，所述抛光头组件由固定于所述机架上的气缸驱动上下移动，所述气缸位于所述抛光头组件上方并通过一框型的支架与所述抛光头组件固定连接。

作为本实用新型改变SiC晶片翘曲度的抛光装置的一种改进，所述支架上固定设有一供所述气缸的气缸轴穿过的轴承座，所述支架相对所述气缸轴转动。

作为本实用新型改变SiC晶片翘曲度的抛光装置的一种改进，所述气缸轴穿过所述支架且其末端固定有一电机，所述电机的输出轴与所述抛光头组件固定连接。

作为本实用新型改变SiC晶片翘曲度的抛光装置的一种改进，所述抛光盘上方设有一出料管，所述出料管与所述抛光盘同轴。