[实用新型]InSb敏感元、无引线InSb光电红外传感器及探测器

权利要求书

1.一种InSb敏感元，其特征在于：所述InSb敏感元包括底托和至少一个InSb单晶片；

所述底托的下沉槽底部开设导引孔，所述导引孔中填充导电材料；

所述底托的下沉槽底部设置有所述InSb单晶片，所述InSb单晶片与所述导电材料连接。

2.根据权利要求1所述的InSb敏感元，其特征在于：所述InSb单晶片下表面两端设置导电电极，所述InSb单晶片通过导电电极与所述导电材料连接。

3.根据权利要求2所述的InSb敏感元，其特征在于：所述导电电极与所述InSb单晶片之间还设置过渡层。

4.一种无引线InSb光电红外传感器，其特征在于：包括管帽、管座、红外滤光片和权利要求1至3任一项所述的InSb敏感元；至少一个红外滤光片贴装在所述管帽上，所述管帽和所述管座密封连接，构成检测腔；

至少一个InSb敏感元设置在所述管座上；

所述InSb敏感元与所述管座的引脚连接点连接，以实现检测信号的传输。

5.根据权利要求4所述的无引线InSb光电红外传感器，其特征在于：所述管帽上设置有两个红外滤光片，所述管座上设置有包含两个InSb单晶片和两组导引孔的InSb敏感元；所述InSb敏感元通过导引孔中的导电材料连接所述管座的引脚连接点。

6.根据权利要求5所述的无引线InSb光电红外传感器，其特征在于：所述底托的下沉槽底部开设三个导引孔；

两个InSb单晶片的一端通过其中两个导引孔中的导电材料连接所述管座的不同引脚连接点；两个InSb单晶片的另一端通过另一个导引孔中的导电材料连接所述管座的同一引脚连接点。

7.根据权利要求5所述的无引线InSb光电红外传感器，其特征在于：所述底托的下沉槽底部开设四个导引孔；

其中一个InSb单晶片通过两个导引孔中的导电材料连接所述管座的引脚连接点；另一个InSb单晶片通过另两个导引孔中的导电材料连接所述管座的引脚连接点。

8.根据权利要求6或7所述的无引线InSb光电红外传感器，其特征在于：所述红外滤光片呈倒T型结构。

9.根据权利要求8所述的无引线InSb光电红外传感器，其特征在于：所述管帽为金属管帽，所述管座为金属管座，所述金属管帽和所述金属管座之间的接触连接面采用储能焊工艺进行封装连接。

10.一种光电红外探测器，包括PCB板和匹配电路，其特征在于：还包括权利要求4至9任一项所述的无引线InSb光电红外传感器，所述无引线InSb光电红外传感器设置在所述PCB板上；所述无引线InSb光电红外传感器的管脚与匹配电路连接。