[实用新型]InSb敏感元、无引线InSb光电红外传感器及探测器

说明书

本实用新型提供一种InSb敏感元、无引线InSb光电红外传感器及探测器，所述InSb敏感元包括底托和至少一个InSb单晶片；所述底托的下沉槽底部开设导引孔，所述导引孔中填充导电材料；所述底托的下沉槽底部设置有所述InSb单晶片，所述InSb单晶片与所述导电材料连接。该无引线InSb光电红外传感器中，底托的设置便于InSb单晶片的安装，防止InSb单晶片破碎，提高InSb敏感元的成品合格率；该无引线InSb光电红外传感器中的InSb敏感元与基座之间通过导电浆连接，无需引线连接，大大提高了无引线InSb光电红外传感器的抗震性。

技术领域

本实用新型涉及光电子探测器技术领域，具体的说，涉及了一种InSb敏感元、无引线InSb光电红外传感器及探测器。

背景技术

红外探测器按工作原理可分为热型探测器与光子型探测器两大类。其中热探测器主要分为热电堆、热敏电阻以及热释电探测器三种；光子探测器主要分为光电导型、光生伏型以及量子阱型等几种。其中，红外光电探测器是一种将入射的红外辐射信号转变成电信号输出的器件。

由于大多数光子探测器使用时需要制冷到77K或195K低温条件下使用，结构设计复杂，成本昂贵，仅能应用于军事领域。而铅盐类探测器PbS和PbSe光电传感器不需要制冷辅助，在室温下仍保持较高的红外探测率，具有结构设计简单、成本低、体积小等优势，近年来越来越受到行业的关注。

但是，PbS光电传感器和PbSe光电传感器也有其不足之处，PbS光电材料的吸收波长是1至3μm近红外波段，在火焰探测峰值波段4.30μm和常见气体探测峰值波段（比如CH4吸收峰3.33μm，CO2吸收峰4.26μm，CO吸收峰4.66μm等）都无法响应，限制了其应用范围；而PbSe光电材料的吸收波长是1至5μm近中红外波段，其制备方法主要是采用化学浴沉积方法在衬底上生长成薄膜状，合成工艺复杂，产品性能均一性差，不适用于大规模批量化生产，产能受到限制。

为了解决以上存在的问题，人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。

发明内容

本实用新型的目的是针对现有技术的不足，从而提供一种InSb敏感元、无引线InSb光电红外传感器及探测器。

为了实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：

本实用新型第一方面提供一种InSb敏感元，所述InSb敏感元包括底托和至少一个InSb单晶片；

所述底托的下沉槽底部开设导引孔，所述导引孔中填充导电材料；

所述底托的下沉槽底部设置有所述InSb单晶片，所述InSb单晶片与所述导电材料连接。

本实用新型第二方面提供一种无引线InSb光电红外传感器，所述无引线InSb光电红外传感器包括管帽、管座、红外滤光片和上述的InSb敏感元；至少一个红外滤光片贴装在所述管帽上，所述管帽和所述管座密封连接，构成检测腔；

至少一个InSb敏感元设置在所述管座上；

所述InSb敏感元与所述管座的引脚连接点连接，以实现检测信号的传输。

本发明第三方面提供一种光电红外探测器，包括PCB板和匹配电路，还包括上述的无引线InSb光电红外传感器，所述无引线InSb光电红外传感器设置在所述PCB板上；所述无引线InSb光电红外传感器与匹配电路连接。

本实用新型相对现有技术具有实质性特点和进步，具体的说：

1）本实用新型提供一种新型InSb敏感元，所述InSb敏感元包括底托、至少一个InSb单晶片和至少一组导电电极；底托的设置便于InSb单晶片的安装，防止InSb单晶片破碎，提高InSb敏感元的成品合格率；可以规模化制备，传感器一致性好，适合大批量生产；