[实用新型]一种基于MOS的三相整流桥电路有效

专利信息
申请号: 202021007290.X 申请日: 2020-06-04
公开(公告)号: CN212115183U 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 夏长亮;葛昕宇 申请(专利权)人: 天津宇拓电源有限公司
主分类号: H02M7/219 分类号: H02M7/219;H05K7/20
代理公司: 北京众泽信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11701 代理人: 张艳萍
地址: 300450 天津市滨海新区塘沽海*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 mos 三相 整流 电路
【权利要求书】:

1.一种基于MOS的三相整流桥电路,其特征在于,包括:电阻、电容、二极管、功率MOS管、驱动芯片,其中,A桥臂R1、C1连接功率MOS管Q1栅极与驱动芯片U1的VS端。

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述驱动芯片U1栅极驱动器控制功率MOS管Q1的导通与关断,同时所述驱动芯片U1的漏极与源极检测,差分采样功率MOS管Q1的源极与栅极电压。

3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,电阻R7连接于功率MOS管Q1,用于设置所述功率MOS管Q1的最小导通时间。

4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,电容C4,二极管D1进行连接,组成电荷泵电路。

5.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,同步整流器与功率MOS管连接,用于控制功率MOS的开启与关断。

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