[实用新型]异质结太阳能电池片和叠瓦组件

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池片，异质结太阳能电池片包括基体片、设置在基体片的顶表面和底表面上的电极，其特征在于，基体片包括：

单晶硅衬底层；

两组本征非晶硅薄膜层，两组本征非晶硅薄膜层包括设置在单晶硅衬底层的顶侧的第一组本征非晶硅薄膜层和设置在单晶硅衬底层的底侧的第二组本征非晶硅薄膜层，第一组本征非晶硅薄膜层和第二组本征非晶硅薄膜层均各自包括从所述单晶硅衬底层指向电极的方向依次排布的以下四层结构：

第一层本征非晶硅薄膜层，第一层本征非晶硅薄膜层为碳同族掺杂硅的整体层状结构；

第二层本征非晶硅薄膜层，第二层本征非晶硅薄膜层为由硅源气氛沉积而成的整体层状结构；

第三层本征非晶硅薄膜层；

第四层本征非晶硅薄膜层；

N型掺杂层，N型掺杂层位于所述第一组本征非晶硅薄膜层的顶侧；

P型掺杂层，所述P型掺杂层位于所述第二组本征非晶硅薄膜层的底侧；

透光导电层，所述透光导电层分别设置在所述N型掺杂层的顶侧和所述P型掺杂层的底侧，并且所述电极设置在所述透光导电层的表面上。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，N型掺杂层和P型掺杂层均各自包括与第四层本征非晶硅薄膜层接触的第一层掺杂层和与透光导电层接触的第二层掺杂层，第一层掺杂层为非晶硅整体层状结构，第二层掺杂层为微晶硅整体层状结构，第二层掺杂层的掺杂浓度大于第一层掺杂层的掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，N 型掺杂层的第一层掺杂层的磷的掺杂量为14ppm-17ppm。

4.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，N型掺杂层的第二层掺杂层的结晶度为40％-65％，N型掺杂层的第二层掺杂层的磷的掺杂量为18ppm-22ppm。

5.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，P型掺杂层的第一层掺杂层的硼的掺杂量为14ppm-17ppm。

6.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，P型掺杂层的第二层掺杂层的结晶度为40％-65％，P型掺杂层的第二层掺杂层的硼的掺杂量为18ppm-22ppm。

7.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，衬底层为N型单晶硅衬底层。

8.一种叠瓦组件，其特征在于，叠瓦组件由按照权利要求1-7中任意一项所述的异质结太阳能电池片以叠瓦方式连接而成。

9.一种异质结太阳能电池片，异质结太阳能电池片包括基体片、设置在基体片的顶表面和底表面上的电极，基体片包括：

两组本征非晶硅薄膜层，两组本征非晶硅薄膜层包括设置在单晶硅衬底层的顶侧的第一组本征非晶硅薄膜层和设置在单晶硅衬底层的底侧的第二组本征非晶硅薄膜层，第一组本征非晶硅薄膜层和第二组本征非晶硅薄膜层均各自包括四层结构；

N型掺杂层，N型掺杂层位于所述第一组本征非晶硅薄膜层的顶侧；

P型掺杂层，所述P型掺杂层位于所述第二组本征非晶硅薄膜层的底侧；

透光导电层，所述透光导电层分别设置在所述N型掺杂层的顶侧和所述P型掺杂层的底侧，所述电极设置在所述透光导电层的表面上，

并且，N型掺杂层和P型掺杂层均各自包括与本征非晶硅薄膜层接触的第一层掺杂层和与透光导电层接触的第二层掺杂层，第一层掺杂层为非晶硅整体层状结构，第二层掺杂层为微晶硅整体层状结构，第二层掺杂层的掺杂浓度大于第一层掺杂层的掺杂浓度。

10.根据权利要求9所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，N型掺杂层的第一层掺杂层的磷的掺杂量为14ppm-17ppm。

11.根据权利要求9所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，N型掺杂层的第二层掺杂层的结晶度为40％-65％，N型掺杂层的第二层掺杂层的磷的掺杂量为18ppm-22ppm。