[实用新型]异质结太阳能电池片和叠瓦组件有效
申请号: | 202021065961.8 | 申请日: | 2020-06-10 |
公开(公告)号: | CN212874519U | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 薛建锋;王月斌;余义;苏世杰;王秀鹏;石刚;李岩 | 申请(专利权)人: | 成都晔凡科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0747 | 分类号: | H01L31/0747;H01L31/028;H01L31/0288;H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 刘迎春 |
地址: | 610041 四川省成都市高新区*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 异质结 太阳能电池 组件 | ||
本实用新型提供了一种异质结太阳能电池片和叠瓦组件。异质结太阳能电池片包括衬底层、本征非晶硅薄膜层、掺杂层、透光导电层以及电极。位于衬底层顶侧和底侧的本征非晶硅薄膜层均包括四层结构,这四层结构彼此不同。根据本实用新型,衬底层的顶侧和底侧的本征非晶硅薄膜层结构均包括四层结构,这四层结构彼此的成分均不相同,组合在一起能够较大程度地发挥出本征非晶硅薄膜层的优势,并能够提升太阳能电池片整体的电性能或效率。
技术领域
本实用新型涉及能源领域,尤其涉及异质结太阳能电池片和叠瓦组件。
背景技术
随着全球煤炭、石油、天然气等常规化石能源消耗速度加快,生态环境不断恶化,特别是温室气体排放导致日益严峻的全球气候变化,人类社会的可持续发展已经受到严重威胁。世界各国纷纷制定各自的能源发展战略,以应对常规化石能源资源的有限性和开发利用带来的环境问题。太阳能凭借其可靠性、安全性、广泛性、长寿性、环保性、资源充足性的特点已成为最重要的可再生能源之一,有望成为未来全球电力供应的主要支柱。
在新一轮能源变革过程中,我国光伏产业已成长为具有国际竞争优势的战略新兴产业。然而,光伏产业发展仍面临诸多问题与挑战,转换效率与可靠性是制约光伏产业发展的最大技术障碍,而成本控制与规模化又在经济上形成制约。
目前,异质结太阳能电池由于具备转换效率高、制造工艺流程短、硅片薄片化、温度系数低、无光致衰减、可双面发电且双面率高等一系列优势,被誉为最具产业化潜力的下一代超高效太阳能电池技术。
现有的异质结太阳能电池片的顶侧和底侧均包括多层结构,而这而各个层之间相对都是独立的,各个层没有进行相互匹配,即各个层简单组合在一起不会充分发挥出其各自的优势。并且,对于任意一个单一层,其不同方面的性能通常会相互制约,例如,单一层无法做到导电性能和透光性能都较优;而若单一层的功用发挥到最大,则可能又会影响电池片整体的电性能或效率,即单个膜层的功能和太阳能电池片整体的效率是不能兼顾的。
因而需要提供一种异质结太阳能电池片和叠瓦组件,以至少部分地解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于,提供一种异质结太阳能电池片和叠瓦组件,本实用新型的异质结太阳能电池片中,衬底层的顶侧和底侧的本征非晶硅薄膜层结构均包括四层结构,这四层结构彼此的成分均不相同,组合在一起能够较大程度地发挥出本征非晶硅薄膜层的优势,并能够提升太阳能电池片整体的电性能或效率。
具体地,这四层结构中,第一层本征非晶硅薄膜层的成分使得非晶硅薄膜层不会变得长程有序、不会生长为外延硅,并且第一层本征非晶硅薄膜层的吸光性能差从而能够提升电池片的短路电流;第二层本征非晶硅薄膜层能够提升钝化效果、保证太阳能电池片的开路电压;第三层本征非晶硅薄膜层能够在提供氢钝化的同时具有较小的厚度,降低膜层的接触电阻、提升填充因子、减少膜层对光的吸收、提高短路电流;第四层本征非晶硅薄膜层可以较为致密从而有效阻止掺杂原子扩散,另外该层结构还可以具有较高的透过率从而提高短路电流。
并且,本实用新型中,本征非晶硅薄膜层的顶侧和底侧的掺杂层均可以具有两层结构——掺杂浓度较低的非晶硅层和掺杂浓度较高的微晶硅层,这样使得非晶硅层向外扩散的杂质原子相对较少,而微晶硅层能够与透光导电层形成良好接触,以降低接触电阻、提升填充因子,并且微晶硅层的透过率较高能够降低膜层对光的吸收,从而提高短路电流。
根据本实用新型的第一方面,提供了一种异质结太阳能电池片,异质结太阳能电池片包括基体片、设置在基体片的顶表面和底表面上的电极,基体片包括:
单晶硅衬底层;
两组本征非晶硅薄膜层,两组本征非晶硅薄膜层包括设置在单晶硅衬底层的顶侧的第一组本征非晶硅薄膜层和设置在单晶硅衬底层的底侧的第二组本征非晶硅薄膜层,第一组本征非晶硅薄膜层和第二组本征非晶硅薄膜层均各自包括从所述单晶硅衬底层指向电极的方向依次排布的以下四层结构:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的